[發(fā)明專利]一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710600940.8
• 申請(qǐng)日: 2017-07-21
• 公開（公告）號(hào): CN107527969B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡廣爍;王鋼;裴艷麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/113
• 分類號(hào): H01L31/113;H01L31/0296
• 代理公司: 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102
• 代理人: 陳偉斌

1.一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于，包括絕緣襯底上的多晶或單晶半導(dǎo)體有源層、源漏電極、絕緣保護(hù)層、覆蓋于有源層和保護(hù)層之上的電解質(zhì)柵介質(zhì)層、與電解質(zhì)接觸的柵電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的半導(dǎo)體有源層，包括氧化鋅、氧化銦、銦鎵鋅氧的氧化物半導(dǎo)體，其光學(xué)帶隙大于3.1eV。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的半導(dǎo)體有源層為單晶或者多晶結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的半導(dǎo)體有源層帶隙內(nèi)深能級(jí)缺陷少，對(duì)可見光吸收少，具有高紫外/可見光拒絕比。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的源漏電極為金屬電極并與有源層形成歐姆接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的絕緣保護(hù)層、漏電極與電解質(zhì)接觸，并露出部分電極供電路連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的電解質(zhì)柵介質(zhì)層可以是固態(tài)電解質(zhì)，也可以是液態(tài)電解質(zhì)，并對(duì)紫外光有高透過率，覆蓋于有源層之上，與柵電極、半導(dǎo)體有源層共同構(gòu)成MIS電容結(jié)構(gòu)，其中電解質(zhì)柵介質(zhì)層具有高電容值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于紫外光探測(cè)的電解質(zhì)柵氧化物半導(dǎo)體光電晶體管，其特征在于：所述的柵電極為惰性金屬電極并與電解質(zhì)柵介質(zhì)層直接接觸。