[發明專利]瞬態電壓抑制器及其制造方法

在審

• 申請號: 201710600911.1
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107301996A
• 公開（公告）日: 2017-10-27
• 發明（設計）人: 周源;郭艷華;李明宇;張欣慰
• 申請（專利權）人: 北京燕東微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/861;H01L21/329
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司11449
• 代理人: 蔡純,張靖琳

1.一種瞬態電壓抑制器，其特征在于，包括：

第一摻雜類型的半導體襯底；

位于所述半導體襯底第一表面上的第二摻雜類型的外延層，其中第一摻雜類型與第二摻雜類型不同；

第一摻雜類型的隔離區，從所述外延層的表面穿過所述外延層延伸至所述半導體襯底中，用于在所述外延層中限定第一隔離島和第二隔離島；

第一摻雜類型的摻雜區，分別在所述第一隔離島和第二隔離島中從所述外延層的表面延伸至所述外延層中；

第一電極，用于將各所述摻雜區彼此電連接；以及

導電通道，在所述第二隔離島中從所述外延層的表面延伸至所述半導體襯底中。

2.根據權利要求1所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，還包括位于所述外延層上的絕緣層。

3.根據權利要求1所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，還包括第二電極，所述第二電極位于所述半導體襯底的第二表面，所述第一表面和所述第二表面彼此相對。

4.根據權利要求1所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第二隔離島圍繞所述第一隔離島。

5.根據權利要求1所述的瞬態電壓抑制器，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型或P型，所述第二摻雜類型為N型或P型中的另一個。

6.一種瞬態電壓抑制器的制造方法，其特征在于，包括：

在第一摻雜類型的半導體襯底的第一表面上，形成第二摻雜類型的外延層，第一摻雜類型與第二摻雜類型不同；

形成第一摻雜類型的隔離區，所述隔離區從所述外延層的表面穿過所述外延層延伸至所述半導體襯底中，用于在所述外延層中限定第一隔離島和第二隔離島；

形成第一摻雜類型的摻雜區，所述摻雜區分別在所述第一隔離島和第二隔離島中從所述外延層的表面延伸至所述外延層中；以及

形成第一電極和導電通道極，所述第一電極將各所述摻雜區彼此電連接，所述導電通道在所述第二隔離島中從所述外延層的表面延伸至所述半導體襯底中。

7.根據權利要求6所述的瞬態電壓抑制器的制造方法，其特征在于，在形成所述第一摻雜區的步驟后還包括：

在所述外延層上形成絕緣層；以及

在所述絕緣層上形成多個開口，所述摻雜區以及所述外延層位于所述第二隔離島的部分分別經由所述開口裸露在外。

8.根據權利要求6所述的瞬態電壓抑制器的制造方法，其特征在于，還包括在所述半導體襯底的第二表面上形成第二電極，所述第一表面和所述第二表面彼此相對。

9.根據權利要求6所述的瞬態電壓抑制器的制造方法，其特征在于，所述第二隔離島圍繞所述第一隔離島。

10.根據權利要求6所述的瞬態電壓抑制器的制造方法，其特征在于，所述第一摻雜類型為N型或P型，所述第二摻雜類型為N型或P型中的另一個。