[發明專利]一種二硫化鉬薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201710600863.6
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN108588673B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 趙士超;翁嘉鑫;呂燕飛;金圣忠
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: C23C16/30
• 分類號: C23C16/30
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 朱月芬

1.一種二硫化鉬薄膜的制備方法，其特征在于，該方法具體步驟是：

步驟(1).取MoS₂源0.1～5g放入石英舟中，之后將裝有MoS₂源的石英舟放入電爐中的石英管內，所述石英舟放置在石英管的中間位置；

步驟(2).將基底用去離子水清洗后氮氣吹干，放入石英管中，位置在載氣流向下游方向距石英舟20～25cm處；

步驟(3).向石英舟內加入1～5ml去離子水；

步驟(4).開啟機械泵抽真空，同時向石英管中輸入載氣氬氫混合氣，混合氣體中H₂的體積含量為5％，載氣流量為300sccm，抽氣2～4min后，關閉機械泵停止抽真空，并同時關閉載氣氣流停止輸入載氣；

步驟(5).將石英管升溫至700～1200℃，升溫速率為20～30℃/min；溫度升至700～1200℃后保溫，保溫時間為2～180min；

步驟(6).石英管停止加熱，將石英管冷卻到常溫，冷卻速率為20～100℃/min，然后取出基底，在基底上獲得MoS₂二維薄膜。

2.如權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜的制備方法，其特征在于：所述的基底為表面生長有氧化層的硅片、石英玻璃、氮化鎵或藍寶石。

3.如權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜的制備方法，其特征在于：所述的MoS₂源有三種，分別為MoS₂固體粉末，氧化鉬和硫，金屬鉬和硫磺。

4.如權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜的制備方法，其特征在于：石英管直徑為1英寸。

5.如權利要求1所述的一種二硫化鉬薄膜的制備方法，其特征在于：基底尺寸為2.5～3.5cm×1.5～2.0cm。