[發明專利]一種深紫外LED

在審

• 申請號: 201710600453.1
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107180899A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 何苗;黃波;王成民;王潤;周海亮
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種深紫外LED，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底表面的未摻雜的緩沖層；

位于所述未摻雜的緩沖層背離所述襯底表面的N型AlGaN層；

位于所述N型AlGaN層背離所述襯底表面的多量子阱結構；

位于所述多量子阱結構背離所述襯底表面的V型Al組分漸變的P型AlGaN結構，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結構采用極化摻雜，且其中所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結構中的Al組分與所述多量子阱結構的Al組分不同；

位于所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結構背離所述襯底表面的P型GaN層。

2.根據權利要求1所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結構包括至少一層Al_0.65Ga_0.35N層和至少一層Al_xGa_1-xN層，所述Al_0.65Ga_0.35N層和所述Al_xGa_1-xN層交替疊加，其中，所述Al_0.65Ga_0.35N層生長在所述多量子阱結構的表面。

3.根據權利要求2所述的深紫外LED，其特征在于，所述Al_xGa_1-xN層中的x取值范圍為：0.3≤x≤0.4。

4.根據權利要求3所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結構中每層結構的厚度為12.22nm，共110nm。

5.根據權利要求4所述的深紫外LED，其特征在于，所述V型Al組分漸變的P型AlGaN結構的摻雜濃度為5×10¹⁷cm^-3，生長溫度為990℃。

6.根據權利要求1-5任意一項所述的深紫外LED，其特征在于，所述襯底為C面的藍寶石襯底。

7.根據權利要求1-5任意一項所述的深紫外LED，其特征在于，所述未摻雜的緩沖層為未摻雜的Al_0.5Ga_0.5N緩沖層，厚度為1.5μm，生長溫度為530℃，且所述未摻雜的Al_0.5Ga_0.5N緩沖層在1050℃恒溫6分鐘重結晶。

8.根據權利要求1-5任意一項所述的深紫外LED，其特征在于，所述N型AlGaN層為Al_0.5Ga_0.5N層，厚度為3.0μm，摻雜濃度為5×10¹⁸cm^-3，生長溫度為1050℃。

9.根據權利要求1-5任意一項所述的深紫外LED，其特征在于，所述多量子阱結構為5個周期的Al_0.36Ga_0.64N層和Al_0.5Ga_0.5N層的疊加結構，其中，所述Al_0.36Ga_0.64N層生長在所述N型AlGaN層的表面。

10.根據權利要求9所述的深紫外LED，其特征在于，所述多量子阱結構的生長溫度為1020℃，其中，每層所述Al_0.36Ga_0.64N層的厚度為10nm，每層所述Al_0.5Ga_0.5N層的厚度為3nm。