[發(fā)明專利]一種發(fā)生器、流體分配系統(tǒng)及其加熱方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710599846.5
• 申請(qǐng)日: 2017-07-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107397998B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波健立電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): A61M11/04
• 分類(lèi)號(hào): A61M11/04;A61M11/00;B05B17/06
• 代理公司: 寧波甬恒專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33270
• 代理人: 顧賽喜

1.一種流體分配系統(tǒng)，其特征在于，包括：

分液模塊，所述分液模塊設(shè)有主箱體、副箱體、主水腔、副水腔以及進(jìn)水口，所述進(jìn)水口連通所述主水腔和副水腔，所述主水腔和所述進(jìn)水口形成于所述主箱體，所述主水腔的液體通過(guò)傾斜或倒置的方式從所述進(jìn)水口流入所述副水腔內(nèi)，其中，所述主箱體設(shè)有接合部，所述接合部設(shè)置于所述主箱體的上部，所述副箱體安裝于所述主箱體的接合部，其中，所述副水腔形成于所述副箱體內(nèi)，所述進(jìn)水口的位置高于所述副箱體，所述副箱體進(jìn)一步設(shè)有上腔體、空隙、支撐面、第一階梯面、第二階梯面、第一內(nèi)壁以及第二內(nèi)壁，所述上腔體與所述副水腔相連通，所述上腔體位于所述副水腔的上方，所述支撐面從所述進(jìn)水口傾斜向下地設(shè)置于所述副水腔上表面，所述空隙鄰近所述進(jìn)水口，所述空隙位于所述副水腔的后端兩側(cè)，得以使所述主水腔的液體通過(guò)所述進(jìn)水口流入相鄰的所述空隙中，其中，所述第一階梯面與所述第一內(nèi)壁之間形成副水前腔，所述第二階梯面與所述第二內(nèi)壁之間形成副水后腔，從所述副水后腔至所述副水前腔的液位逐漸降低，所述第一階梯面和所述第二階梯面傾斜地位于所述副水腔的底部，所述第一階梯面從所述第二階梯面傾斜向下地一體延伸，所述第一階梯面和所述第二階梯面呈階梯式的折線結(jié)構(gòu)，所述第二內(nèi)壁之間的寬度從后往前逐漸減小，直至接于所述第一內(nèi)壁，所述第一內(nèi)壁呈半圓弧結(jié)構(gòu)；

霧化組件，所述霧化組件包括一發(fā)生器，所述發(fā)生器位于噴霧口和所述副水腔之間，所述支撐面以用于支撐所述發(fā)生器的前端，所述發(fā)生器安裝于所述上腔體中，所述發(fā)生器包括霧化部和加熱部，當(dāng)所述副水腔的液位高于所述發(fā)生器的中心位置時(shí)，所述發(fā)生器得以對(duì)所述副水腔的液體進(jìn)行霧化和/或加熱；以及

控制模塊，所述控制模塊包括霧化單元和加熱單元，所述霧化單元電連接所述霧化部，得以控制所述霧化部對(duì)所述副水腔的液體進(jìn)行超聲霧化，所述加熱單元電連接所述加熱部，得以控制所述加熱部對(duì)所述副水腔的液體進(jìn)行加熱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)生器與水平面的傾斜度為30～60°。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述發(fā)生器進(jìn)一步包括金屬片以及硅膠套，所述金屬片的中間設(shè)有微孔，所述副水前腔對(duì)齊所述發(fā)生器的金屬片，所述硅膠套環(huán)形地設(shè)置于所述發(fā)生器的外周，所述霧化部和所述加熱部間隔或疊接地設(shè)置于所述金屬片上，所述加熱部為電熱材料，所述加熱部以用于傳遞熱量于所述金屬片，所述發(fā)生器的霧化部為壓電陶瓷，所述加熱部通過(guò)導(dǎo)熱膠固接于所述金屬片，所述加熱部的材質(zhì)選自電熱陶瓷、電熱硅膠、電熱橡膠、金屬電熱材料以及非金屬電熱材料中的一種或多種，所述霧化部和所述加熱部分別間隔地半環(huán)形和/或環(huán)形地設(shè)置于所述金屬片的正面。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述金屬電熱材料選自鉑、高溫熔點(diǎn)金屬及其合金、鎳基合金以及鐵鋁系合金中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述非金屬電熱材料選自碳化硅、鉻酸鑭、氧化鋯、二硅化鉬、石墨、碳膜、碳棒以及碳纖維中的一種或多種。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述霧化部和所述加熱部分別相間隔地半環(huán)形設(shè)置于所述金屬片的正面，所述霧化部所占的環(huán)形面積為10％～90％，所述加熱部所占的環(huán)形面積為90％～10％。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述霧化部的環(huán)形面積大于所述加熱部的環(huán)形面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述霧化部所占的環(huán)形面積為70％，所述加熱部所占的環(huán)形面積為30％。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，所述加熱部環(huán)形地設(shè)置于所述金屬片的正面，所述霧化部疊接于所述加熱部上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的流體分配系統(tǒng)，其特征在于，其適用于噴鼻裝置、霧化治療儀。