[發明專利]一種用于模分復用系統的超低衰減少模光纖

有效

• 申請號: 201710599716.1
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107247304B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 周紅燕;張磊;李鵬;朱繼紅;吳俊;汪洪海;王瑞春
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/02
• 分類號: G02B6/02;G02B6/036
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 胡建平

1.一種用于模分復用系統的超低衰減少模光纖，包括芯層和包層，其特征在于所述芯層的相對折射率差Δ1為0.02％～0.04％，半徑R1為8.2～10μm；所述的包層由內向外依次包括第一內包層、下陷內包層、第二內包層和外包層，所述的第一內包層為緊密包繞芯層的內包層，相對折射率差Δ2為-0.36％～-0.33％，半徑R2為11μm～15μm，所述的下陷內包層緊密包繞第一內包層，其相對折射率差Δ3為-0.85％～-0.6％，半徑R3為16.5μm～22μm，所述的第二內包層緊密包繞下陷包層，其相對折射率差Δ4為-0.37％～-0.34％，半徑R4為19μm～35μm，所述的外包層緊密圍繞第二內包層，為純二氧化硅玻璃層；所述光纖在1550nm波長支持4個穩定的LP傳輸模式，分別為LP01，LP11，LP21，LP02；

所述的相對折射率差為n_i和n₀分別為對應光纖各部分的折射率和純二氧化硅玻璃的折射率。

2.按權利要求1所述的用于模分復用系統的超低衰減少模光纖，其特征在于所述的芯層為鍺氟共摻的二氧化硅玻璃層。

3.按權利要求1或2所述的用于模分復用系統的超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖支持的四個模式在1550nm波長處的衰減系數均小于或等于0.170dB/km。

4.按權利要求1或2所述的用于模分復用系統的超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖在1550nm波長處各個模式的DGD絕對值的最大值小于或等于5ps/m。

5.按權利要求1或2所述的用于模分復用系統的超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖的LP01模式的有效面積為100～180μm²。

6.按權利要求1或2所述的用于模分復用系統的超低衰減少模光纖，其特征在于所述光纖的LP01模式在1550nm波長處的色散值小于或等于22ps/nm*km。