[發明專利]一種逆導FS?IGBT的制備方法

在審

• 申請號: 201710599649.3
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107180758A
• 公開（公告）日: 2017-09-19
• 發明（設計）人: 陳萬軍;劉亞偉;夏云;劉承芳;陶宏;劉杰;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/739
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙)51232
• 代理人: 孫一峰

1.一種逆導FS-IGBT的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

a.在一塊N型半導體硅片(1)上通過離子注入N型雜質并推結形成場截止層(2)，厚度6um，注入劑量10¹³～10¹⁴個/cm2，退火溫度1150～1200℃，退火時間90～300分鐘；

b.在a步所形成的FS層上通過光刻刻蝕，間隔注入N型雜質與P型雜質，注入劑量為10¹²～10¹³個/cm2，退火溫度450℃，退火時間30～90分鐘使其在表面形成P型區(3)與N型區(4)相互交替排列的結構，推結深度約為1-2um；

c.在b步所形成的P型區(3)與N型區(4)相互交替排列的結構上淀積厚度1um的二氧化硅層(5)；

d.另取一塊N型或P型硅片(6)，與c步形成二氧化硅層表面鍵合，使兩個硅片鍵合在一起，鍵合溫度300～1100℃，定義另取的硅片未鍵合一側表面為背面，原硅片未鍵合一側為正面；

e.翻轉硅片，減薄硅片至設計厚度，并在減薄后的表面上完成IGBT正面工藝：包括：形成柵氧化層(7)、多晶硅層(8)、P阱(9)、N+發射區(10)、BPSG層(11)及正面金屬層(12)；

f.翻轉硅片，減薄硅片背面至氧化層，使用濕法刻蝕完全去除背面氧化層，并對裸露出的P型區(3)與N型區(4)相互交替排列的結構進行適當減薄清洗，隨后淀積背面金屬層，形成集電極(13)。

2.根據權利要求1所述的一種低壓逆導FS-IGBT的制備方法，其特征在于，工藝第b步中，為保證所形成的P型區與N型區與后續步驟中淀積的金屬層形成良好的歐姆接觸，N型半導體硅片(1)表面摻雜濃度約為10¹⁸～10¹⁹個/cm³。