[發明專利]晶圓加工機及其加工處理方法有效
| 申請號: | 201710599344.2 | 申請日: | 2017-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN107507788B | 公開(公告)日: | 2019-11-08 |
| 發明(設計)人: | 楊辰隆 | 申請(專利權)人: | 志圣科技(廣州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京匯智英財專利代理事務所(普通合伙) 11301 | 代理人: | 鄭玉潔 |
| 地址: | 510850 廣東省廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加工 及其 處理 方法 | ||
1.一種晶圓加工機,其特征在于,包括:
一機械手臂;
至少一工作站,每一工作站具有至少一傳感器監測該工作站的工作狀況產生一正常狀態信號或一異常狀態信號;
一控制裝置,與該機械手臂及這些工作站連接,且接收各工作站的傳感器傳出的正常狀態信號或異常狀態信號,并根據該異常狀態信號產生一回收信號控制該機械手臂先回收發出正常狀態信號的工作站內的一晶圓,再回收發出異常狀態信號的工作站內的另一晶圓;
該控制裝置包括:
一輸入單元,用以接收該正常狀態信號或該異常狀態信號;
一判斷單元,根據這些正常狀態信號判斷所有處于正常狀態下工作站目前的工作狀態剩余時間、內部剩余空間及內部空間溫度產生一判斷結果;
一規劃單元,由該判斷結果規劃晶圓回收的優先級并產生一規劃結果;
一驅動單元,將該規劃結果轉換成該回收信號;
一輸出單元,用以輸出該回收信號;
一儲存單元,用以保存該規劃結果及儲存晶圓的回收記錄。
2.如權利要求1所述的晶圓加工機,其特征在于,該傳感器為壓力傳感器、溫度傳感器或真空度傳感器其中任一個或組合。
3.如權利要求1所述的晶圓加工機,其特征在于,還具有一總回收站,所述總回收站具有一容置空間用以容置回收后的所有晶圓。
4.如權利要求3所述的晶圓加工機,其特征在于,該容置空間大于或等于所有工作站的作業空間總和。
5.如權利要求1所述的晶圓加工機,其特征在于,還具有一異常警報器與該控制裝置連接且產生一異常警告信號。
6.如權利要求1所述的晶圓加工機,其特征在于,該控制裝置為一計算機。
7.一種晶圓加工處理方法,其特征在于,包括:
每一工作站的傳感器監測工作站的工作狀態產生一正常狀態信號或一異常狀態信號;
通過一控制裝置接收各工作站的傳感器傳出的正常狀態信號或異常狀態信號;
該控制裝置是否收到至少一個異常狀態信號;
若是,該控制裝置產生一回收信號控制一機械手臂執行一晶圓回收程序;
若否,該控制裝置產生一驅動信號控制一機械手臂執行一正常工作程序;
這些正常狀態信號由該控制裝置內的一判斷單元及一規劃單元及一驅動單元加以判斷分析后產生該回收信號,該判斷單元判讀正常狀態信號后確定各個正常狀態下的工作站當前工作狀況并產生一判斷結果,所述判斷結果由該規劃單元加以分析,并根據各個正常狀態下的工作站當前的工作剩余時間產生一規劃結果,該驅動單元將該規劃結果轉換成對應的回收信號;
或者,這些正常狀態信號由該控制裝置內的一判斷單元及一規劃單元及一驅動單元加以判斷分析后產生該回收信號,該判斷單元判讀正常狀態信號后確定各個正常狀態下的工作站內部剩余空間并產生一判斷結果,所述判斷結果由該規劃單元加以分析,并根據各個正常狀態下的工作站當前的晶圓溫度產生一規劃結果,該驅動單元將該規劃結果轉換成對應的回收信號;
或者,這些正常狀態信號由該控制裝置內的一判斷單元及一規劃單元及一驅動單元加以判斷分析后產生該回收信號,該判斷單元判讀正常狀態信號后確定各個正常狀態下的工作站設備是否良好并產生一判斷結果,所述判斷結果由該規劃單元加以分析,并根據各個正常狀態下的工作站當前的晶圓價值產生一規劃結果,該驅動單元將該規劃結果轉換成對應的回收信號。
8.如權利要求7所述的晶圓加工處理方法,其特征在于,該傳感器監測這些工作站的壓力狀態、溫度狀態或真空度狀態其中任一個或多個。
9.如權利要求7所述的晶圓加工處理方法,其特征在于,還包括:回收后的晶圓集中至一總回收站內加以保存。
10.如權利要求7所述的晶圓加工處理方法,其特征在于,該晶圓回收程序包括:
該機械手臂先回收發出正常狀態信號的工作站內的一晶圓;
該機械手臂再回收發出異常狀態信號的工作站內的另一晶圓。
11.如權利要求7所述的晶圓加工處理方法,其特征在于,還包括:
該控制裝置通過一異常警報器產生一異常警告信號,且該控制裝置同時進行一計時程序;
該控制裝置判斷該計時程序結束前工作站異常狀態是否排除。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





