[發明專利]一種LED器件

在審

• 申請號: 201710599048.2
• 申請日: 2017-07-21
• 公開（公告）號: CN107507905A
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 黃光燕;鄭海庭;王鈴玉;唐渝
• 申請（專利權）人: 廣州慧谷化學有限公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L33/62;H01L33/56
• 代理公司: 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙)44325
• 代理人: 譚果林

技術領域

本發明屬于照明領域，尤其涉及一種LED器件。

背景技術

LED的基本結構是一塊電致發光的半導體材料芯片，用固晶膠固定到支架上，然后用銀線或金線連接芯片和電路板，然后四周用環氧樹脂或者硅膠密封，起到保護內部結構的作用，最后安裝外殼。

目前，LED支架底部的功能區基本上為鍍銀層，由于硫化物、氧氣等很容易透過封裝膠層，與功能區的鍍銀層發生反應，產生黑色的銀化合物，導致LED器件出現光衰現象。

此外，LED作為發光器件會直接影響人們的視覺感受，長期使用過程中的光色一致性需要嚴格控制。隨著LED不斷發展，消費者對LED的光色品質的要求越來越高，特別是在室內照明中，光色一致性作為評價LED燈具的光色品質的重要依據也越來越受到關注，其中，CIE色坐標是評價光色一致性的重要指標。

為防止LED支架底部功能區的銀層發生硫化反應，有人提出一種LED封裝結構，在支架的空腔內壁及LED芯片上覆設一層防硫防氧膜，或者在封裝膠層的上表面覆蓋一層防硫防氧膜，阻礙了含硫含氧氣體通過封裝膠層進入LED器件內部，與功能區的銀層發生反應，然而LED器件在使用過程中，會產生熱量，在日常開關燈過程中，LED器件的溫度會發生變化，隔離膜和下層封裝材料都會有不同程度的熱脹冷縮現象，如果阻隔層和下層封裝材料厚度比例超出一定范圍，或者兩層之間附著力比較差，都會使得LED器件在長期使用過程中，出現阻隔膜和下層封裝材在熱脹冷縮過程中，因匹配失效出現開裂甚至剝落現象，這種情況下，會導致LED器件CIE色坐標發生較大范圍的偏移，進而導致光色出現非常大的差異，嚴重情況下甚至會導致LED器件死燈，影響LED器件正常使用。通常會用冷熱沖擊試驗快速模擬LED器件在日常使用中的開關冷熱現象。

發明內容

本發明解決的技術問題是：針對現有的LED器件不能在提高阻隔性能的同時確保其光色一致性的技術問題，提供一種LED器件。

為解決上述技術問題，提供一種LED器件，包括支架，所述支架設有凹槽，所述凹槽表面設有光反射層，所述凹槽底部設置有LED芯片，所述凹槽內部填充有覆蓋所述LED芯片的封裝膠層，所述封裝膠層表面設有隔離層，所述隔離層用于阻隔所述封裝膠層和所述光反射層與外界氣體相接觸，所述隔離層與所述封裝膠層的厚度比例為0.001％～50％。

優選地，所述隔離層與所述封裝膠層的厚度比例為0.002％～25％。

優選地，所述隔離層的厚度為1nm～500000nm。

優選地，所述隔離層的厚度為6nm～200000nm。

優選地，所述封裝膠層的厚度為100000nm～1000000nm。

優選地，所述封裝膠層的厚度為300000nm～800000nm。

優選地，所述隔離層向所述支架上表面及外側延伸，使所述封裝膠層與所述支架之間無間隙。

優選地，所述LED器件硫化后的光通維持率＞80％。

優選地，所述隔離層包含聚合物，所述聚合物的分子式為(R₃SiO_1/2)_a(RSiO_3/2)_b(R₂SiO_2/2)_c(M_fN_g)_d(XO_1/2)_e；

在所述聚合物的分子式中:

各個R獨立地選自脂肪族有機基團或芳基，X包含氫原子，M包含硅或金屬元素，N包含氧元素或氮元素，a為0或正數，b為0或正數，c為0或正數，d是正數，e為0或正數，1≤f≤3，1≤g≤4，50％≤d/(a+b+c+d+e)≤99％。

優選地，所述聚合物的分子式為(R₃SiO_1/2)_a(RSiO_3/2)_b(R₂SiO_2/2)_c(SiO₂)_d(HO_1/2)_e；

在所述聚合物的分子式中:

各個R獨立地選自脂肪族有機基團或芳基，1≤a≤8，7≤b≤19，4≤c≤20，40≤d≤100，0≤e≤8，50％≤d/(a+b+c+d+e)≤99％。