[發明專利]基于鋁?砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器在審
| 申請號: | 201710598766.8 | 申請日: | 2017-07-21 |
| 公開(公告)號: | CN107369721A | 公開(公告)日: | 2017-11-21 |
| 發明(設計)人: | 劉正奇;劉桂強;劉曉山 | 申請(專利權)人: | 江西師范大學 |
| 主分類號: | H01L31/02 | 分類號: | H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 南昌華成聯合知識產權代理事務所(普通合伙)36126 | 代理人: | 黃晶 |
| 地址: | 330000 *** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 砷化鎵 結構 波段 完美 吸收 | ||
1.一種基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,它包括襯底、鋁膜層、砷化鎵結構層,其特征在于:自下而上依次設置襯底、鋁膜層、砷化鎵結構層,所述砷化鎵結構層由砷化鎵膜層和砷化鎵顆粒陣列組成;所述鋁膜層、砷化鎵結構層形成具有寬波段光完美吸收特性的結構,通過調節砷化鎵結構的幾何參數和單元晶格的周期,調控光吸收特性。
2.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述砷化鎵顆粒組成的周期性陣列圖案設置在砷化鎵膜層上表面。
3.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述砷化鎵結構層的材料為砷化鎵。
4.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述金屬膜層的材料為鋁。
5.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述砷化鎵顆粒的結構為圓柱體結構。
6.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述砷化鎵膜層厚度處于20nm~50nm范圍。
7.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述襯底的材料為硅片、玻璃或柔性材料。
8.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述砷化鎵顆粒陣列為四方晶格,陣列的周期為300nm~700nm。
9.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述砷化鎵顆粒的圖案形狀大小相同,砷化鎵顆粒的尺寸大小包括直徑范圍為200nm~600nm、厚度范圍為20nm~100nm。
10.根據權利要求1所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述鋁膜層其厚度大于等于50nm。
11.根據權利要求10所述的基于鋁-砷化鎵結構的寬波段光完美吸收器,其特征在于:所述鋁膜層其厚度為50nm~200nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





