[發明專利]基于ITO?金屬?半導體結構的近紅外光吸收器件在審
| 申請號： | 201710598738.6 | 申請日： | 2017-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN107329285A | 公開（公告）日： | 2017-11-07 |
| 發明（設計）人： | 劉正奇;劉桂強;黃鎮平;張后交;陳戩 | 申請（專利權）人： | 江西師范大學 |
| 主分類號： | G02F1/015 | 分類號： | G02F1/015 |
| 代理公司： | 南昌華成聯合知識產權代理事務所(普通合伙)36126 | 代理人： | 黃晶 |
| 地址： | 330000 *** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 ito 金屬 半導體 結構 紅外 光吸收 器件 | ||
1.一種基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，它包括襯底、金屬膜層、半導體結構層和ITO膜層，所述半導體結構層由半導體顆粒陣列和半導體膜層組成；所述金屬膜層、半導體結構層形成具有近紅外光完美吸收特性的結構，通過調節半導體結構的幾何參數和單元晶格的周期，調控光吸收特性。
2.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述半導體顆粒組成的周期性陣列圖案設置在半導體膜層上表面。
3.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述半導體結構層的材料為砷化鎵、硅、磷化銦、砷化銦中的一種。
4.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述金屬膜層的材料為鋁或鐵。
5.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述半導體顆粒的結構為圓柱體結構。
6.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述半導體膜層厚度處于20nm～50nm范圍。
7.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述襯底的材料為硅片、玻璃或柔性材料。
8.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述半導體顆粒陣列為四方晶格，陣列的周期為300nm～700nm。
9.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述半導體顆粒的圖案形狀大小相同，半導體顆粒的尺寸大小包括直徑范圍為200nm～600nm、厚度范圍為20nm～100nm。
10.根據權利要求1所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述金屬膜層其厚度大于等于50nm。
11.根據權利要求10所述的基于ITO-金屬-半導體結構的近紅外光吸收器件，其特征在于：所述金屬膜層其厚度為50nm～200nm。
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