[發(fā)明專利]一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710598444.3
• 申請(qǐng)日: 2017-07-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107221570A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李正;劉曼文
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 湘潭大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/115
• 代理公司: 長(zhǎng)沙新裕知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司43210
• 代理人: 趙登高

1.一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，有一立方柱半導(dǎo)體基體(1)，溝槽電極(2)和中央柱狀電極(3)由半導(dǎo)體基體(1)通過(guò)貫穿刻蝕、離子擴(kuò)散摻雜形成，中央柱狀電極(3)位于溝槽電極(2)正中，溝槽電極(2)環(huán)繞于中央柱狀電極(3)之外，其中，溝槽電極(2)為矩形框中空電極，溝槽電極(2)刻蝕成結(jié)構(gòu)相同且結(jié)構(gòu)上互為互補(bǔ)的兩瓣；溝槽電極(2)的一對(duì)平行邊正中有斜紋狀實(shí)體縫隙(6)，半導(dǎo)體基體(1)采用輕摻雜硅，溝槽電極(2)及中央柱狀電極(3)采用重?fù)诫s硅，其中，溝槽電極(2)與中央柱狀電極(3)的P/N型相反，所述新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器頂面的溝槽電極(2)和中央柱狀電極(3)上覆蓋有電極接觸層(4)，頂面未覆蓋電極接觸層(4)的其他半導(dǎo)體基體(1)表面覆蓋二氧化硅絕緣層(7)，底面設(shè)置有二氧化硅襯底層(5)；在溝槽電極(2)間沒(méi)有刻蝕成電極從而剩下斜紋狀實(shí)體縫隙(6)，新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器在斜紋狀半導(dǎo)體基體的基礎(chǔ)上以溝槽電極頂點(diǎn)為圓心，斜紋狀實(shí)體縫隙(6)的寬度為半徑做圓，圓弧外的半導(dǎo)體基質(zhì)都刻蝕成電極，從而留下帶弧狀的斜紋體半導(dǎo)體基體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器通過(guò)共用溝槽電極(2)的電極壁形成M*N陣列探測(cè)器，其中M,N均為正整數(shù)，探測(cè)器是一個(gè)PIN結(jié)：P型半導(dǎo)體-絕緣層-N型半導(dǎo)體形，其中，重?fù)诫s的P/N型半導(dǎo)體硅的電阻率與輕摻雜的P/N半導(dǎo)體硅不同，在半導(dǎo)體基體上進(jìn)行刻蝕，形成溝槽電極(2)和中央柱狀電極(3)，然后溝槽電極(2)采用N型硅重?fù)诫s，中央柱狀電極(3)采用P型硅重?fù)诫s，半導(dǎo)體基體(1)采用P型輕摻雜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述半導(dǎo)體基體(1)的半導(dǎo)體材料采用Si、Ge、HgI₂、GaAs、TiBr、CdTe、CdZnTe、CdSe、GaP、HgS、PbI₂和AlSb中的一種或多種的組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器高度為100-300微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述中央柱狀電極(3)寬度為10微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述電極接觸層(4)為鋁電極接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述電極接觸層(4)厚度為1微米，所述二氧化硅襯底層(5)厚度為1微米。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種新型方形開(kāi)闔式殼型電極半導(dǎo)體探測(cè)器，其特征在于，所述斜紋狀實(shí)體縫隙(6)的寬度小于10微米。