[發明專利]晶邊刻蝕機臺的校準方法有效
| 申請號： | 201710597336.4 | 申請日： | 2017-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN107342254B | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發明（設計）人： | 劉孟勇 | 申請（專利權）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 刻蝕 機臺 校準 方法 | ||
1.一種晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述晶邊刻蝕機臺的校準方法包括：
提供測試晶圓，所述測試晶圓上形成有一氧化層；
對所述測試晶圓的氧化層進行晶邊刻蝕，形成晶邊刻痕；
量測所述晶邊刻痕與所述測試晶圓側壁的平行度，以得到所述晶邊刻痕的圓心；
將所述晶邊刻痕的圓心與所述測試晶圓的圓心進行對比，并判斷所述晶邊刻痕的圓心與所述測試晶圓的圓心之間的距離是否符合控制要求。
2.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，量測所述晶邊刻痕與所述測試晶圓側壁的平行度，得到所述晶邊刻痕的圓心包括：
選取所述晶邊刻痕上的多個測試點；
量測所述晶邊刻痕上的測試點與所述測試晶圓側壁的平行度；
將多個平行度進行擬合得到刻蝕圓；
確定所述刻蝕圓的圓心。
3.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述晶邊刻痕的圓心與所述測試晶圓的圓心的達標距離小于等于1mm。
4.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述晶邊刻蝕的距離在0.5mm-2mm之間。
5.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述測試晶圓自然氧化形成所述氧化層。
6.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，采用化學氣相沉積或原子層沉積形成所述氧化層。
7.如權利要求6所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述氧化層的材料包括氧化硅、氮氧化硅和碳氧化硅中的一種或多種。
8.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為150埃-300埃。
9.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，所述測試晶圓包括器件區和非器件區，所述器件區設置在所述測試晶圓的中部，所述非器件區圍繞所述器件區，并且設置在測試晶圓的邊緣位置。
10.如權利要求1所述的晶邊刻蝕機臺的校準方法，其特征在于，對所述測試晶圓的氧化層進行晶邊刻蝕，形成晶邊刻痕之后，所述晶邊刻蝕機臺的校準方法還包括：
對所述測試晶圓進行清洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
