[發明專利]基于表面電磁波共振的高性能CMOS紅外微測輻射熱計有效
| 申請號： | 201710596908.7 | 申請日： | 2017-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN109282903B | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發明（設計）人： | 紀小麗;張朝陽;楊琪軒;沈凡翔;黃延;段佳華;朱晨昕;司偉;閆鋒 | 申請（專利權）人： | 南京大學 |
| 主分類號： | G01J5/20 | 分類號： | G01J5/20 |
| 代理公司： | 南京知識律師事務所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 210046 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 表面 電磁波 共振 性能 cmos 紅外 輻射熱 | ||
【權利要求書】：
1.基于表面電磁波共振的高性能CMOS紅外微測輻射熱計，包括L形微橋結構，其特征在于，微橋結構單元包括橋墩、橋臂和紅外吸收體，紅外吸收體為多層結構，自上而下依次為氮化硅層、金屬光柵層、二氧化硅層、蛇形鋁熱敏電阻層和二氧化硅層；所述氮化硅層的厚度為0.6μm；所述金屬光柵層的周期為6μm，光柵的寬度為2.5μm，厚度為2.17μm；位于所述金屬光柵層下面的二氧化硅層的厚度為1μm；所述蛇形鋁熱敏電阻層的厚度為0.53μm，蛇形鋁的寬度為0.4μm，間隔為0.4μm；位于所述蛇形鋁熱敏電阻層下面的二氧化硅層厚度為0.85μm。
2.根據權利要求1所述的基于表面電磁波共振的高性能CMOS紅外微測輻射熱計，其特征在于，所述金屬光柵層的材料為鋁。
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