[發(fā)明專利]一種隔聲去耦裝置及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710596528.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107263967B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李福運(yùn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京海月星科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | B32B25/04 | 分類號(hào): | B32B25/04;B32B25/14;B32B7/12;B32B3/30;B32B37/06;B32B37/10;C08L9/02;C08K13/02;C08K3/22;C08K5/09;C08K5/18;C08K3/04 |
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| 地址: | 102400 北京市房山*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 隔聲 去耦裝置 隔聲能力 制備 制備方法工藝 生產(chǎn)效率 水下航行 隔聲層 阻尼層 減振 應(yīng)用 保證 | ||
本發(fā)明提供了一種隔聲去耦裝置及其制備方法與應(yīng)用,本發(fā)明隔聲去耦裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,采用特定結(jié)構(gòu)的隔聲去耦裝置以及特定成分的隔聲層和阻尼層,能夠充分保證隔聲抑振效果,同時(shí)顯著提高低頻隔聲能力,能夠滿足實(shí)際使用需求。本發(fā)明隔聲去耦裝置的制備方法工藝簡(jiǎn)單,成本低,生產(chǎn)效率高,適于大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明隔聲去耦裝置能夠用于水下航行器的隔聲減振,隔聲抑振效果好,能夠充分發(fā)揮低頻隔聲能力。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及隔聲減振材料技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種隔聲去耦裝置及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)
隔聲去耦裝置是一類帶有特殊聲學(xué)結(jié)構(gòu)的聲學(xué)材料產(chǎn)品,可以敷設(shè)在水下航行器的耐壓殼體外表面,通過(guò)結(jié)構(gòu)和材料的協(xié)同作用,在水下航行器的耐壓殼體和水層之間建立“阻抗失配”,形成一個(gè)大的“隔聲罩”,實(shí)現(xiàn)降低水下航行器的輻射噪聲的功能,有效對(duì)抗敵方被動(dòng)聲納的探測(cè)。
相關(guān)技術(shù)中,所使用的隔聲去耦裝置的隔聲降噪效果優(yōu)先,尤其是不能降低低頻輻射噪聲,無(wú)法滿足越來(lái)越高的實(shí)際應(yīng)用要求。
有鑒于此,特提出本發(fā)明。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種隔聲去耦裝置,所述的隔聲去耦裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,隔聲效果好,尤其是能夠有效提高低頻隔聲能力,此外還具有抑振功能,能夠滿足實(shí)際使用需求。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種所述的隔聲去耦裝置的制備方法,該方法工藝簡(jiǎn)單,成本低,生產(chǎn)效率高,適于大規(guī)模生產(chǎn)。
本發(fā)明的第三目的在于提供一種所述的隔聲去耦裝置的應(yīng)用,所述的隔聲去耦裝置能夠用于水下航行器的隔聲減振,隔聲抑振效果好,能夠充分發(fā)揮低頻隔聲能力。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的,特采用以下技術(shù)方案:
一種隔聲去耦裝置,所述隔聲去耦裝置包括隔聲層,所述隔聲層與阻尼層固定相連;所述隔聲層中包括多個(gè)空腔;所述隔聲層和阻尼層的材質(zhì)分別為丁腈橡膠,其中所述阻尼層所采用的丁腈橡膠中的丙烯腈的質(zhì)量分?jǐn)?shù)多于隔聲層所采用的丁腈橡膠中的丙烯腈的質(zhì)量分?jǐn)?shù)。
本發(fā)明隔聲去耦裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,采用特定結(jié)構(gòu)的隔聲去耦裝置以及特定成分的隔聲層和阻尼層,能夠充分保證隔聲抑振效果,同時(shí)顯著提高低頻隔聲能力,能夠滿足實(shí)際使用需求。
可選地,所述隔聲層所采用的丁腈橡膠中丙烯腈的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%以上,優(yōu)選為15%-60%,進(jìn)一步優(yōu)選為20%。
可選地,所述阻尼層所采用的丁腈橡膠中的丙烯腈的質(zhì)量分?jǐn)?shù)比阻尼層所采用的丁腈橡膠中的丙烯腈的質(zhì)量分?jǐn)?shù)多10%以上,優(yōu)選多10%-30%,進(jìn)一步優(yōu)選多20%。
可選地,所述空腔包括錐形空腔。
可選地,所述錐形空腔靠近阻尼層的一端的內(nèi)徑大于遠(yuǎn)離阻尼層的一端的內(nèi)徑。
可選地,多個(gè)錐形空腔分別沿錐形延伸方向平行排列。
可選地,所述錐形空腔的錐形延伸方向與阻尼層垂直。
可選地,所述多個(gè)錐形空腔以陣列形式排列。
可選地,所述錐形空腔包括錐形腔和延伸腔,所述錐形腔的底端內(nèi)徑大于頂端內(nèi)徑,所述延伸腔與錐形腔的底端相連通。
可選地,所述延伸腔的內(nèi)壁與錐形腔的底端內(nèi)壁對(duì)齊相連。
可選地,所述延伸腔的底端與阻尼層相接觸。
可選地,所述錐形腔的頂端內(nèi)徑為1mm以上,優(yōu)選為1-5mm,進(jìn)一步優(yōu)選為3mm。
可選地,所述錐形腔的底端內(nèi)徑為5mm以上,優(yōu)選為15-25mm,進(jìn)一步優(yōu)選為20mm。
可選地,所述延伸腔的內(nèi)徑為5mm以上,優(yōu)選為15-25mm,進(jìn)一步優(yōu)選為20mm。
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