[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201710596408.3
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN109285888B
• 公開（公告）日: 2021-12-14
• 發明（設計）人: 周飛
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司;中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第二區和分別位于第二區兩側的第一區，所述第一區與第二區連接，所述基底上具有由第二區延伸至兩側第一區的鰭部結構，所述鰭部結構包括至少一個鰭部；

在所述鰭部結構兩側的第一區基底上形成偽鰭部，所述偽鰭部與所述鰭部沿垂直于鰭部的延伸方向平行排列；

在第二區基底上形成橫跨鰭部結構的柵極結構；

在所述柵極結構兩側的鰭部結構和偽鰭部內分別形成源漏摻雜區，位于鰭部結構內的所述源漏摻雜區與位于偽鰭部內的所述源漏摻雜區相連；

在所述基底和源漏摻雜區上形成覆蓋所述柵極結構側壁的介質層；

在所述介質層內形成接觸孔，所述接觸孔的底部暴露出源漏摻雜區的頂部表面和側壁。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述偽鰭部的形成步驟包括：在所述鰭部結構兩側的基底上形成初始偽鰭部，所述初始偽鰭部沿垂直于鰭部的延伸方向上與鰭部平行排列；去除所述第二區基底上的初始偽鰭部，在所述第一區基底上形成所述偽鰭部。

3.如權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除第二區基底上的初始偽鰭部的工藝包括：各向異性干法刻蝕工藝；所述各向異性干法刻蝕工藝的參數包括：氧氣的流量為50標準毫升/分鐘～～300標準毫升/分鐘，CH₃F的流量為100標準毫升/分鐘～500標準毫升/分鐘，氦氣的流量為30標準毫升/分鐘～200標準毫升/分鐘，溫度為25攝氏度～80攝氏度，時間為5秒～100秒。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿垂直于鰭部的延伸方向上，偽鰭部到鰭部結構的最小距離為：25納米～100納米。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿垂直于鰭部的延伸方向上，偽鰭部的尺寸為：5納米～15納米。

6.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿垂直于鰭部的延伸方向上，所述鰭部的尺寸為5納米～15納米。

7.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述鰭部的個數為：1個～40個。

8.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述鰭部的個數大于1個時，兩個以上的鰭部沿垂直于鰭部的延伸方向上平行排列；相鄰鰭部之間的間距為：20納米～50納米。

9.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述源漏摻雜區的形成步驟包括：在所述柵極結構兩側的偽鰭部和鰭部結構分別內形成開口；在所述開口內形成外延層；在所述外延層內摻入摻雜離子，形成源漏摻雜區。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，沿垂直于鰭部的延伸方向上，所述開口的尺寸為80納米～1000納米。

11.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述開口的形成步驟包括：在所述基底上形成圖形層，所述圖形層的頂部表面暴露出偽鰭部和鰭部結構的頂部表面；以所述圖形層為掩膜，刻蝕所述偽鰭部和鰭部結構，形成所述開口；刻蝕所述偽鰭部和鰭部結構的工藝包括：各向異性干法刻蝕工藝；所述各向異性干法刻蝕工藝的參數包括：CH₄的流量為8標準毫升/分鐘～500標準毫升/分鐘，CHF₃的流量為30標準毫升/分鐘～200標準毫升/分鐘，射頻功率為100瓦～1300瓦，偏置電壓為80伏～500伏，腔室壓強為10毫托～2000毫托，時間為4秒～500秒。

12.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述接觸孔之后，還包括：在所述接觸孔底部形成金屬硅化物層；在所述金屬硅化物層上形成導電插塞。