[發(fā)明專利]一種CdS/MoS2/Mo雙層核殼結構光電極

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710595922.5
• 申請日: 2017-07-20
• 公開（公告）號: CN107419294B
• 公開（公告）日: 2019-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 黃柏標;朱相林;王朋;王澤巖;張曉陽;秦曉燕;劉媛媛;張倩倩
• 申請（專利權）人: 山東大學
• 主分類號: C25B11/06
• 分類號: C25B11/06;C25B11/02;C25B1/04
• 代理公司: 濟南圣達知識產(chǎn)權代理有限公司 37221
• 代理人: 王志坤

1.一種CdS/MoS₂/Mo雙層核殼結構光電極的制備方法，其特征在于，步驟如下：以鉬網(wǎng)作為基底，以可溶性鎘鹽作為鎘源，將金屬鎘沉積在鉬網(wǎng)上，將沉積好的鉬網(wǎng)置于硫化氫氣氛中進行硫化，即得到CdS/MoS₂/Mo雙層核殼結構光電極。

2.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述可溶性鎘鹽選自硝酸鎘、氯化鎘或乙酸鎘。

3.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，通過控制沉積電壓和沉積時間的方式將金屬鎘沉積在鉬網(wǎng)上。

4.根據(jù)權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述沉積電壓為-1.5至-2.0V，沉積時間為600-1200s。

5.根據(jù)權利要求1所述的制備方法，其特征在于，硫化的溫度為300℃-600℃。

6.權利要求1-5任一項所述的方法制備得到的CdS/MoS₂/Mo雙層核殼結構光電極。

7.權利要求6所述的CdS/MoS₂/Mo雙層核殼結構光電極在光水解制氫中的應用。

8.一種光水解制氫體系，其特征在于，所述光水解制氫體系是以權利要求7所述的CdS/MoS₂/Mo雙層核殼結構光電極作為工作電極，鉑電極作為對電極，飽和銀/氯化銀電極作為參比電極。

9.如權利要求8所述的光水解制氫體系，其特征在于，所述光水解制氫體系中還包含：電解質溶液；所述電解質溶液為：0.25摩爾/升硫化鈉，0.35摩爾/升亞硫酸鈉。