[發(fā)明專(zhuān)利]一種防指紋膜的鍍膜方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710595359.1
• 申請(qǐng)日: 2017-07-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109280887A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王偉;張揚(yáng);常杰;范雪鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市一諾真空科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/12
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/12;C23C14/02
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，清理基板表面；

S2，在所述基板的表面制備氧化鋁膜層，形成過(guò)渡層；

S3，在所述過(guò)渡層的表面制備氮化硅或碳化硅膜層，形成硬化層；

S4，在所述硬化層的表面制備氧化硅膜層，形成結(jié)合層；

S5，在所述結(jié)合層的表面制備防指紋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S1之前，還包括：

將防指紋藥安裝在真空鍍膜機(jī)上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S1具體包括：

將清洗干凈的基板裝進(jìn)真空鍍膜機(jī)；

所述真空鍍膜機(jī)的真空度達(dá)到7.5*10^-3pa時(shí)，對(duì)所述基板表面進(jìn)行離子轟擊；充入流量為30sccm的中頻氬氣、流量為50sccm的離子源，所述離子源的電源電壓為600V，工作壓強(qiáng)為2.9*10^-1pa，時(shí)間持續(xù)三分鐘。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S2具體為：

所述真空鍍膜機(jī)的真空度達(dá)到4.0*10^-3pa時(shí)，在所述基板的表面鍍氧化鋁，形成過(guò)渡層；具體為：充入流量為30sccm的中頻氬氣、流量為25sccm的離子源、流量為80sccm的中頻氧氣，所述中頻電源的電流為30A，工作壓強(qiáng)為4.5*10^-1pa，時(shí)間持續(xù)六分鐘。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S3具體為：

所述真空鍍膜機(jī)的工作壓強(qiáng)為4.9*10^-1pa時(shí)，在所述過(guò)渡層的表面鍍氮化硅或碳化硅，形成硬化層；具體為：充入流量為35sccm的中頻氬氣、流量為30sccm的離子源、流量90sccm的中頻氧氣，所述中頻電源的電流為24A，工作壓強(qiáng)為4.9*10^-1pa，時(shí)間持續(xù)三分鐘。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S4具體為：

在所述硬化層的表面鍍氧化硅，形成結(jié)合層；具體為：充入流量為30sccm的中頻氬氣、流量為25sccm的離子源、流量為40sccm的中頻氧氣，所述中頻電源的電流為10A，工作壓強(qiáng)為2.9*10^-1pa，持續(xù)時(shí)間三分鐘。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S5具體為：

所述真空鍍膜機(jī)的真空度達(dá)到4.5*10^-3pa時(shí)，在所述結(jié)合層的表面鍍防指紋藥，持續(xù)時(shí)間七分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防指紋膜的鍍膜方法，其特征在于，所述基板包括玻璃、金屬或陶瓷。