[發明專利]用于包含觸發電壓可調式疊接晶體管的ESD保護電路的方法有效
| 申請號: | 201710594433.8 | 申請日: | 2017-07-20 |
| 公開(公告)號: | CN107658266B | 公開(公告)日: | 2021-03-23 |
| 發明(設計)人: | 李建興;馬哈德瓦爾·納塔拉恩;曼約納塔·普拉布 | 申請(專利權)人: | 格芯(美國)集成電路科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/8238 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 包含 觸發 電壓 調式 晶體管 esd 保護 電路 方法 | ||
1.一種制作集成電路裝置的方法,該方法包含:
提供包括相鄰第一類型井區的襯底,在該襯底上方,各對第一類型井區由第二類型井區所分開;
提供位在各第一類型井區與第二類型井區中的一或多個接面區,各接面區屬于第一類型或第二類型;
形成彼此相隔、垂直于第一類型接面區與第二類型接面區并位在其上方的鰭片;以及
通過在該第一類型井區中的該第一類型接面區和第二類型接面區與該襯底之間形成電連接來形成接面類型裝置,
其中該第一類型井區中的第一級接面類型裝置包括堆疊的該第一類型接面區與第二類型接面區,以及
其中該第一級接面類型裝置相鄰于含有該第一類型接面區與第二類型接面區的第二類型井區。
2.如權利要求1所述的方法,其中:
該第一類型井區屬于n型,并且包括p型接面區與n型接面區。
3.如權利要求1所述的方法,其中:
該第二類型井區屬于p型,并且包括p型接面區或p型接面區與n型接面區。
4.如權利要求1所述的方法,其中:
該襯底屬于p型,而該接面類型裝置包括pnp或npn類型雙極晶體管。
5.如權利要求1所述的方法,其中:
該接面類型裝置包括pn類型二極管。
6.如權利要求1所述的方法,包含:
連接該第二類型井區中的該接面區至電接地。
7.如權利要求1所述的方法,包含:
形成使該第一類型井區與第二類型井區分開的隔離溝槽區域。
8.如權利要求1所述的方法,其中:
相鄰該第一級接面類型裝置的第二類型井區包括多個第二類型接面區。
9.如權利要求1所述的方法,包含:
基于目標觸發電壓來設定該第一類型接面區與第二類型接面區之間以及諸相鄰第二類型接面區之間的間距。
10.一種集成電路裝置,包含:
包括相鄰第一類型井區的襯底,在該襯底上方,各對第一類型井區由第二類型井區所分開;
位在各第一類型井區與第二類型井區中的一或多個接面區,各接面區屬于第一類型或第二類型;
彼此相隔、垂直于第一類型接面區與第二類型接面區并位在其上方的鰭片;以及
通過在該第一類型井區中的該第一類型接面區和第二類型接面區與該襯底之間的電連接所形成的接面類型裝置,
其中該第一類型井區中的第一級接面類型裝置包括堆疊的該第一類型接面區與第二類型接面區,以及
其中該第一級接面類型裝置相鄰于含有該第一類型接面區與第二類型接面區的第二類型井區。
11.如權利要求10所述的集成電路裝置,其中:
該第一類型井區屬于n型,并且包括p型接面區與n型接面區。
12.如權利要求10所述的集成電路裝置,其中:
該第二類型井區屬于p型,并且包括p型接面區或p型接面區與n型接面區。
13.如權利要求10所述的集成電路裝置,其中:
該襯底屬于p型,而該接面類型裝置包括pnp或npn類型雙極晶體管。
14.如權利要求10所述的集成電路裝置,其中:
該接面類型裝置包括pn類型二極管。
15.如權利要求10所述的集成電路裝置,包含:
該第二類型井區中連至電接地的接面區之間的連接。
16.如權利要求10所述的集成電路裝置,其中:
相鄰該第一級接面類型裝置的第二類型井區包括多個第二類型接面區。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





