[發(fā)明專利]一種GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒的疊加電壓檢測裝置及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710593728.3 | 申請日: | 2017-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN107329059A | 公開(公告)日: | 2017-11-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 張喬根;馬徑坦;吳治誠;杜乾棟;王國利;高超;楊蕓;文韜;李曉昂;郭璨;張玲俐 | 申請(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué);南方電網(wǎng)科學(xué)研究院有限責(zé)任公司 |
| 主分類號: | G01R31/12 | 分類號: | G01R31/12;G01R31/14 |
| 代理公司: | 北京鼎承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11551 | 代理人: | 張波濤,管瑩 |
| 地址: | 710049 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 gis 自由 導(dǎo)電 微粒 疊加 電壓 檢測 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于氣體絕緣封閉組合電器(GIS)絕緣缺陷防護領(lǐng)域,具體涉及一種GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒的疊加電壓檢測裝置及方法。
背景技術(shù)
SF6氣體絕緣金屬封閉開關(guān)設(shè)備(Gas-insulated switchgear,GIS)具有占地面積小、受自然環(huán)境影響小、運行安全可靠、檢修和維護周期長等優(yōu)點,在國內(nèi)外電力系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。均勻電場中SF6氣體具有良好的絕緣性能,而當(dāng)存在局部電場集中時其絕緣強度會出現(xiàn)嚴重降低。GIS由于在生產(chǎn)、運輸和組裝過程中存在機械碰撞及設(shè)備振動,會不可避免地產(chǎn)生自由導(dǎo)電微粒污染物,這些導(dǎo)電微粒會顯著降低設(shè)備耐受電壓,甚至導(dǎo)致絕緣事故。運行故障統(tǒng)計表明,自由導(dǎo)電微粒是造成GIS故障的一個主要原因。因此,探索有效的自由導(dǎo)電微粒檢測手段對于預(yù)防事故發(fā)生、保障GIS的長期穩(wěn)定運行具有重要意義。
目前,現(xiàn)場交接試驗中通常采用交流耐壓結(jié)合局部放電試驗以及沖擊耐壓試驗對GIS的絕緣性能進行考核。交流電壓下微粒由于受到周期性電場力的作用不易起跳,且極不均勻電場中SF6氣體的擊穿電壓隨氣壓的變化會呈現(xiàn)“駝峰”現(xiàn)象,當(dāng)GIS工作氣壓高于臨界氣壓時,氣體擊穿前幾乎不發(fā)生局部放電,此時局部放電檢測手段失效。沖擊電壓由于作用時間短,微粒難以發(fā)生起跳以及貫穿性運動,無法對自由微粒進行有效檢測。由于目前現(xiàn)場交接試驗項目難以對GIS中自由導(dǎo)電微粒進行有效檢測,因此,有必要研究新的檢測手段,完善現(xiàn)場交接試驗中對GIS絕緣性能的考核。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒的疊加電壓檢測裝置,能夠有效檢測GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒的疊加電壓檢測方法。
為達到上述目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
一種GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒的疊加電壓檢測裝置,包括:
沖擊電壓發(fā)生器1,用于產(chǎn)生沖擊電壓;
隔直電容2,與所述沖擊電壓發(fā)生器1的輸出端串聯(lián),用于隔離直流電壓;
保護球隙3,與所述隔直電容2并聯(lián),用以避免隔直電容2承受過高電壓而損壞;
GIS4,與所述沖擊電壓發(fā)生器1并聯(lián);
阻容分壓器5,與所述GIS4并聯(lián),用于疊加電壓波形的測量;
保護電阻6,與所述阻容分壓器5串聯(lián),用于減小沖擊電壓對直流電壓源7的影響;
直流電壓源7,與所述保護電阻6串聯(lián),用于產(chǎn)生直流電壓;
所述沖擊電壓發(fā)生器1包括電容1-1、開關(guān)1-2、波頭電阻1-4、波尾電阻1-3和電容分壓器1-5;所述電容1-1經(jīng)過開關(guān)1-2與波尾電阻1-3并聯(lián),波尾電阻1-3經(jīng)過波頭電阻1-4與電容分壓器1-5并聯(lián);
所述阻容分壓器5包括高壓臂電阻5-1、低壓臂電阻5-3和高壓臂電容5-2、低壓臂電容5-4;所述高壓臂電阻5-1與高壓臂電容5-2組成第一并聯(lián)電路;所述低壓臂電阻5-3與低壓臂電容5-4組成第二并聯(lián)電路,所述第一并聯(lián)電路與第二并聯(lián)電路串聯(lián);
所述直流電壓源7包括高壓硅堆7-1、高壓硅堆7-2、高壓硅堆7-3、高壓硅堆7-4、電容7-5、電容7-6、電容7-7、電容7-8和充電變壓器7-9;所述高壓硅堆7-1~7-4與電容7-5~7-8和充電變壓器7-9組成兩級倍壓電路;
所述沖擊電壓發(fā)生器1的輸出范圍為0~1600kV;
所述隔直電容2的容值為30nF,所述GIS 4的運行電壓等級為500kV;
所述保護電阻6的阻值為300kΩ;
所述直流電壓源7的輸出范圍為0~600kV;
一種GIS內(nèi)自由導(dǎo)電微粒的疊加電壓檢測方法,包括如下步驟:
S1:計算GIS在斷路器分閘時可能存在的直流電壓最大幅值Udc,計算公式如下:
其中,Uo為GIS的運行電壓;
S2:對GIS施加幅值為Udc的負極性直流電壓;
S3.對GIS疊加正極性沖擊電壓U+Imp,正極性沖擊電壓峰值的計算公式為:U+Imp=Us+Udc
其中,Us為GIS的額定沖擊耐壓幅值;
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