[發明專利]一種基于GIS的網格系統及用其制作綜合異常剖析圖的方法有效
| 申請號: | 201710592325.7 | 申請日: | 2017-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN107451226B | 公開(公告)日: | 2019-12-17 |
| 發明(設計)人: | 張劍波;趙加奧;夏燈城;李永昌 | 申請(專利權)人: | 中國地質大學(武漢) |
| 主分類號: | G06F16/29 | 分類號: | G06F16/29;G06T11/40 |
| 代理公司: | 42238 武漢知產時代知識產權代理有限公司 | 代理人: | 郝明琴 |
| 地址: | 430074 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 gis 網格 系統 制作 綜合 異常 剖析 方法 | ||
本發明提供一種基于GIS的網格系統,包括若干個單元格對象、數據處理單元、計算單元和系統建立單元。本發明還提供一種利用網格系統制作綜合異常剖析圖的方法,步驟如下:獲取若干幅單元素地球化學異常圖和地質簡圖;數據處理單元讀取單元素地球化學異常圖和地質簡圖的數據信息;計算單元根據數據信息及頁面紙張的尺寸確定網格系統的尺寸;系統建立單元根據網格系統的尺寸建立初始異常剖析圖網格系統;將單元素地球化學異常圖和地質簡圖填充到初始異常剖析圖網格系統中的單元格對象中;調整單元格對象的位置;對單元格對象中的單元素地球化學異常圖進行處理,繪制整飾部分,得到地球化學綜合異常剖析圖。本發明有效提高了綜合異常剖析圖的制圖效率。
技術領域
本發明涉及計算機制圖技術領域,尤其涉及一種基于GIS的網格系統及用其制作綜合異常剖析圖的方法。
背景技術
地球化學普查工作結束后須向任務下達單位提供必要的化探圖件和資料,其中必須上交的圖件和資料包括:主要成礦和伴生元素的地球化學圖(附簡化地質礦產圖)、異常圖(單元素或綜合元素異常圖)、化探成果報告。根據需要選擇上交的圖件和資料包括:重要異常剖析圖及其說明書;異常一覽表及重要異常的評序;成礦遠景區劃圖及有關說明;多變量分析圖及其他解釋推斷性圖件及有關說明書;環境地球化學調查方面的圖件及說明書;其他圖件和資料。
將異常區內所含元素的異常圖及相同比例尺的地質簡圖按一定的順序一一羅列排放后,組成的圖件稱為綜合異常剖析圖。綜合異常剖析圖還附有簡易比例尺、圖面坐標刻度和地質簡圖的圖例,各元素還要繪制元素標注、色階,元素標注和色階可選擇繪制在左上角、左下角、右上角或右下角位置,但通常元素標注和色階繪制在不同的位置,以免相互遮蓋。同時也要調整元素標注和色階的大小和位置,以免遮蓋圖中重要的異常。
綜合異常剖析圖的制作通常需要一組單元素異常圖、異常范圍、一幅地質簡圖,同時還要定義成圖比例尺、紙張大小及邊距。單元素異常圖和地質簡圖通常包含一系列的點文件、線文件和區文件。單元素異常圖的區文件會記錄每個區的屬性,屬性中包含等量線值的字段,記錄了等量線的值,即色階信息。地質簡圖的點、線、區文件中都記錄了各符號代表的內容,即圖例的信息。
傳統剖析圖制作過程通常借助GIS(Geographic Information System,地理信息系統)軟件完成,包括以下步驟:根據實際情況確定要進行剖析的區域范圍,按照水平和垂直方向繪制矩形框;對選定的多個單元素異常圖和底圖進行裁切;將裁切結果根據相對位置進行排列;為每個單元素異常圖的成圖部分添加色階、標注信息;為地質簡圖添加圖例,先從原地質簡圖中復制過來,然后再對圖例位置進行調整。
傳統的制作方法存在以下不足:制圖效率低下且易出錯:制圖過程中需要分別計算各單元素異常圖的偏移量、色階位置、大小等數值,并且剖析圖制作的每個環節都需要借助軟件手工繪制,制圖時間長且容易出現錯誤;制作后不易修改:剖析圖一旦成圖,將很難再次修改,需要重新制作;對專業技術要求高:剖析圖的制作者需要對剖析圖的制作規范有充分了解,制作方法需要培訓;缺乏統一的可擴展的系統:不同單位的制圖要求有細微差異,目前還沒有一種統一的剖析圖系統能滿足不同生產單位的制圖需求。
發明內容
有鑒于此,本發明提供了一種統一的、能夠提高綜合異常剖析圖制圖效率的基于GIS的網格系統,還提供了一種步驟簡單的制作綜合異常剖析圖的方法。
本發明提供一種基于GIS的網格系統,其包括若干個單元格對象、數據處理單元、計算單元和系統建立單元,所述單元格對象用以填充單元素地球化學異常圖和地質簡圖,所述數據處理單元用以讀取單元素地球化學異常圖、地質簡圖的數據信息,所述計算單元用以計算網格系統的尺寸,所述系統建立單元用以建立網格系統。
進一步地,所述單元格對象內包含地球化學元素的元素標注及元素標注的大小、位置和色階標注及色階標注的大小、位置,所述元素標注的位置及色階標注的位置均包括方位和偏移量,所述方位指元素標注、色階標注的位置相對單元格對象的繪制位置,所述偏移量包括橫向偏移量和縱向偏移量。
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