[發明專利]用于電能傳輸系統的介電材料

在審

• 申請號: 201710590535.2
• 申請日: 2012-07-28
• 公開（公告）號: CN107216141A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: K.M.克里什納;L.馬塔尼
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: C04B35/46
• 分類號: C04B35/46;C04B35/465;C04B35/47;H02J50/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 徐晶,黃念

1.一種電能傳輸系統，其包括：

連接到電源的第一線圈；

連接到負載的第二線圈；和

以這樣的方式設置在第一線圈和第二線圈之間的場聚焦元件，使得所述場聚焦元件放置得更接近第一線圈或更接近第二線圈，所述場聚焦元件包括嵌入到介電材料中的多個諧振器線圈，所述多個諧振器線圈構造成作為有源陣運行，且其中所述介電材料包括含有(Mg_1-xSr_x)_yTiO_(2+y)的氧化物材料，其中0≤x≤1，且y=0、1或2。

2.權利要求1的電能傳輸系統，其中所述氧化物材料包含TiO₂。

3.權利要求1的電能傳輸系統，其中所述氧化物材料包含MgTiO₃。

4.權利要求1的電能傳輸系統，其中所述氧化物材料包含SrTiO₃。

5.權利要求1的電能傳輸系統，其中所述介電材料還包含第二氧化物。

6.權利要求5的電能傳輸系統，其中所述第二氧化物包含CuO。

7.權利要求5的電能傳輸系統，其中所述第二氧化物包含2MgO.SiO₂。

8.權利要求5的電能傳輸系統，其中所述第二氧化物包含Bi₂O₃.3TiO₂。

9.權利要求8的電能傳輸系統，其中所述介電材料是包含晶粒和晶界的多晶材料。

10.權利要求9的電能傳輸系統，其中Bi₂O₃.3TiO₂置于所述介電材料的晶界上。

11.權利要求1的電能傳輸系統，其中所述介電材料包括含有(Mg_1-xSr_x)_yTiO_(2+y)的氧化物材料，其中0<x<1，且y=0、1或2。

12.權利要求1的電能傳輸系統，其中所述介電材料具有高介電常數。

13.權利要求6的電能傳輸系統，其中CuO在所述介電材料中的量小于約3%重量。

14.權利要求7的電能傳輸系統，其中2MgO.SiO₂在所述介電材料中的量為約70%重量。

15.權利要求8-10中任一項的電能傳輸系統，其中Bi₂O₃.3TiO₂在所述介電材料中的量小于約2%摩爾。