[發明專利]切換式電容器電路結構及控制其源極-漏極電阻的方法

有效

• 申請號: 201710588674.1
• 申請日: 2017-07-19
• 公開（公告）號: CN107634053B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 張弛;A·巴拉蘇布拉馬尼揚
• 申請（專利權）人: 馬維爾亞洲私人有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/105
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種切換式電容器電路結構，其包含：

包括柵極接端、源極接端、及漏極接端的切換晶體管，其中，該切換晶體管更包括：

耦合該源極接端至該漏極接端的通道區；

耦合至N型井區的背柵極接端；以及

置于該通道區與該N型井區之間的埋置型絕緣體層，使得該N型井區與該通道區分開；

耦合至該切換晶體管的該背柵極接端的偏壓節點，該偏壓節點可于導通狀態與斷開狀態之間交替選擇；

耦合至該切換晶體管的該源極接端的第一電容器；

耦合至該切換晶體管的該漏極接端的第二電容器；以及

耦合至該切換晶體管的該柵極接端的第一使能節點，該第一使能節點可于導通狀態與斷開狀態之間交替選擇。

2.如權利要求1所述的電路結構，其中，處于該導通狀態的該偏壓節點降低該切換晶體管的該柵極接端的臨限電壓。

3.如權利要求1所述的電路結構，其中，處于該導通狀態的該偏壓節點相對于處于該斷開狀態的該偏壓節點，降低該切換晶體管的源極-漏極電阻。

4.如權利要求1所述的電路結構，其中，該第一電容器與第二電容器包含電壓控制振蕩器電路的部分或數字控制振蕩器電路的部分。

5.如權利要求1所述的電路結構，更包含：

第一旁路晶體管，該第一旁路晶體管的源極及漏極耦合至該第一電容器的對置接端；以及

第二旁路晶體管，該第二旁路晶體管的源極及漏極耦合至該第二電容器的對置接端，

其中，該第一旁路晶體管包括耦合至第二使能節點的柵極，并且其中，該第二旁路晶體管包括耦合至該第二使能節點的柵極。

6.如權利要求5所述的電路結構，其中，該第一使能節點透過反相器耦合至該第二使能節點，使得處于該斷開狀態的該第一使能節點造成該第二使能節點處于導通狀態，或處于該導通狀態的該第一使能節點造成該第二使能節點處于斷開狀態。

7.如權利要求1所述的電路結構，更包含：

直接置于該第一電容器與該切換晶體管的該源極接端之間的第一節點，該第一節點耦合至第一節點晶體管的漏極；以及

直接置于該第二電容器與該切換晶體管的該漏極接端之間的第二節點，該第二節點耦合至第二節點晶體管的漏極，

其中，該第一節點晶體管的柵極及該第二節點晶體管的柵極耦合至該第一使能節點。

8.一種控制切換式電容器電路中源極-漏極電阻的方法，該方法包含：

對電路結構的偏壓節點施加偏壓，該電路結構包括：

包括柵極接端、源極接端、及漏極接端的切換晶體管，其中，該切換晶體管更包括：

耦合該源極接端至該漏極接端的通道區；

耦合該偏壓節點至N型井區的背柵極接端；以及

置于該通道區與該N型井區之間的埋置型絕緣體層，使得該N型井區與該通道區分開；

耦合至該切換晶體管的該源極接端的第一電容器，以及

耦合至該切換晶體管的該漏極接端的第二電容器；

其中，施加該偏壓使跨該切換晶體管的該源極端子與漏極接端的該第一電容器與第二電容器之間的源極-漏極電阻降低；以及

在對該切換晶體管的該背柵極接端施加該偏壓期間，對該切換晶體管的該柵極接端施加使能電壓。

9.如權利要求8所述的方法，其中，對該切換晶體管的該背柵極接端施加該偏壓相對于未對該背柵極接端施加該偏壓，使該切換晶體管的該柵極接端的臨限電壓進一步降低。

10.如權利要求8所述的方法，其中，該電路結構更包括：

包括第一柵極的第一旁路晶體管，該第一旁路晶體管的源極及漏極耦合至該第一電容器的對置接端，以及

包括第二柵極的第二旁路晶體管，該第二旁路晶體管的源極及漏極耦合至該第二電容器的對置接端，

其中，對該切換晶體管的該柵極接端施加該使能電壓更包括對該第一旁路晶體管與第二旁路晶體管的該第一柵極與第二柵極施加該使能電壓的反相。