[發(fā)明專利]反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710588660.X | 申請日: | 2017-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN107238855A | 公開(公告)日: | 2017-10-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馬佳林;徐強(qiáng);陳永林;侯瑞瑤 | 申請(專利權(quán))人: | 上海新漫傳感技術(shù)研究發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | G01T1/36 | 分類號: | G01T1/36;G01T7/00 |
| 代理公司: | 北京卓言知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11365 | 代理人: | 王茀智,龔清媛 |
| 地址: | 201821 上海市嘉*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反康普頓反 宇宙射線 高純 鍺譜儀 | ||
1.一種反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:包括鉛屏蔽室(5)和安裝于鉛屏蔽室(5)內(nèi)部的主探測器(1)、環(huán)反符合探測器(2)和頂探測器(3),頂探測器(3)位于環(huán)反符合探測器(2)的上方;
環(huán)反符合探測器(2)的中部設(shè)有空腔,空腔的下部形成用于安裝主探測器(1)的第一空腔(201),空腔的上部形成用于盛放待檢測樣品的第二空腔(202)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:頂探測器(3)上安裝有第一光電倍增管(31),環(huán)反符合探測器(2)上安裝有第二光電倍增管(21);所述環(huán)反符合探測器(2)和頂探測器(3)組成反符合探測器;環(huán)反符合探測器(2)為塑料閃爍體探測器,頂探測器(3)為BGO閃爍體探測器;所述第一光電倍增管(31)設(shè)于頂探測器(3)的一端,主探測器(1)、環(huán)反符合探測器(2)和頂探測器(3)與反符合功能電路連接;當(dāng)主探測器(1)和環(huán)反符合探測器(2)都有信號輸出時、頂探測器(3)和主探測器(1)中都有輸出時、或者三個探測器均有信號輸出時,主探測器(1)中的輸出信號不被處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述反符合功能電路包括跟隨電路,相加電路,對數(shù)放大電路,甄別成形電路,反符合電路,線性門,多道分析器,單片機(jī),能譜主放電路和甄別死時間控制電路;所述跟隨電路的輸入端與環(huán)反符合探測器(2)和頂探測器(3)的輸出端連接,跟隨電路的輸出端與相加電路的輸入端連接,相加電路的輸出端與對數(shù)放大電路的輸入端連接,對數(shù)放大電路的輸出端與甄別成形電路的輸入端連接,甄別成形電路的輸出端與反符合電路的輸入端連接,反符合電路的輸出端與線性門的輸入端連接,線性門的輸出端與多道分析器連接,多道分析器與單片機(jī)連接;能譜主放電路的輸入端與主探測器(1)的輸出端連接,能譜主放電路的輸出端與甄別死時間控制電路和反符合電路的輸入端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述環(huán)反符合探測器(2)的上部經(jīng)過切割后形成棱柱(22),棱柱(22)與環(huán)反符合探測器(2)的下部頂面之間形成多個缺角(203),每個缺角(203)的底面設(shè)有一個第二光電倍增管(21),第二光電倍增管(21)垂直于缺角(203)的底面。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述環(huán)反符合探測器(2)的上部經(jīng)過切割后形成正四棱柱,正四棱柱與環(huán)反符合探測器(2)的下部頂面之間形成四個缺角(203),每個缺角(203)的底面設(shè)有一個第二光電倍增管(21)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述第一空腔(201)和第二空腔(202)為圓柱形空腔,主探測器(1)為圓柱體,第一空腔(201)的內(nèi)徑與主探測器(1)的外徑相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述頂探測器(3)和環(huán)反符合探測器(2)外均設(shè)有遮光膜層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述鉛屏蔽室(5)包括鉛屏蔽室本體(51)和扣合在鉛屏蔽室本體(51)上的上鉛蓋(52),上鉛蓋(52)和鉛屏蔽室本體(51)扣合后在鉛屏蔽室(5)內(nèi)部形成密閉空間;鉛屏蔽室本體(51)的中部設(shè)有容納環(huán)反符合探測器(2)的第一容納空腔,上鉛蓋(52)上設(shè)有容納頂探測器(3)的第二容納空腔,上鉛蓋(52)扣合在鉛屏蔽室本體(51)上時,頂探測器(3)覆蓋第二空腔(202)的上方;所述第一容納空腔和第二容納空腔為長方體空腔,所述環(huán)反符合探測器(2)為長方體狀,頂探測器(3)為與環(huán)反符合探測器(2)的頂部相應(yīng)的長方體狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述頂探測器(3)為BGO閃爍體、或者NaI閃爍體、或者塑料閃爍體;環(huán)反符合探測器(2)為NaI閃爍體、或者BGO閃爍體、或者塑料閃爍體、或者塑料閃爍體、NaI閃爍體和BG0閃爍體三種材料中的任意兩種兩兩組合,主探測器(1)是BGO閃爍體、或者NaI閃爍體、或者LaBr3閃爍體。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的反康普頓反宇宙射線高純鍺譜儀,其特征在于:所述上鉛蓋(52)為澆筑方式加工而成的鉛結(jié)構(gòu),所述鉛屏蔽室本體(51)包括交錯疊放而成的鉛結(jié)構(gòu)層,鉛結(jié)構(gòu)層的內(nèi)側(cè)壁依次設(shè)有隔片層和銅層,鉛屏蔽室本體(51)的內(nèi)外均采用鐵板固定。
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