[發明專利]一種SOI CMOS射頻開關以及射頻收發前端、移動終端

有效

• 申請號: 201710587647.2
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN109274358B
• 公開（公告）日: 2020-03-31
• 發明（設計）人: 趙鵬;王秀;劉剛;曾真;王肖瑩;賈斌
• 申請（專利權）人: 銳迪科微電子科技(上海)有限公司
• 主分類號: H03K17/041
• 分類號: H03K17/041;H03K17/687
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙) 31286
• 代理人: 殷曉雪

1.一種SOI CMOS射頻開關，包括一個固定連接端和多個選擇性連接端，構成單刀多擲開關；其特征是：每個選擇性連接端與固定連接端之間構成一條通道；每條通道的主路徑為三個以上級聯的開關管，所述開關管均為SOI CMOS晶體管；每條通道的兩端開關管的源極和漏極之間均連接電容，每條通道的中間開關管的源極和漏極之間均連接電阻，每條通道的所有開關管的柵極連接同一個控制電壓；每條通道所連接的控制電壓還通過一個正向的反相器與電阻的串聯支路連接到該條通道的主路徑除兩端以外的任意位置；在任意時刻，僅有一個控制電壓為正電壓，其余控制電壓均為零電壓；在任意時刻，為正電壓的控制電壓所連接的通道閉合，為零電壓的控制電壓所連接的通道斷開。

2.根據權利要求1所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：所述射頻開關包括一個固定連接端和n個選擇性連接端，n為≥2的自然數，構成單刀n擲開關。

3.根據權利要求2所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：將m個權利要求2所述的單刀n擲開關并列疊加，m為≥2的自然數，這m個單刀n擲開關分別是單刀n1擲開關、單刀n2擲開關、……、單刀nm擲開關，構成m刀(n1+n2+……+nm)擲開關。

4.根據權利要求1所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：每條通道的主路徑中級聯的開關管數量或者相同、或者不同。

5.根據權利要求4所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：每條通道的主路徑中級聯的開關管數量由該通道需要承受的射頻功率大小以及每個開關管所能承受的射頻功率大小共同決定。

6.根據權利要求1所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：各個通道的反相器與電阻的串聯支路接入該通道的主路徑的一個或多個位置，每個接入位置都不是該通道的主路徑的兩端。

7.根據權利要求1所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：所述開關管為一個SOI CMOS晶體管或者是多個串聯的SOI CMOS晶體管。

8.根據權利要求7所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：所述SOI CMOS晶體管為SOI材料制造的NMOS器件。

9.根據權利要求7所述的SOI CMOS射頻開關，其特征是：所述開關管的源極和漏極任意互換；所述SOI CMOS晶體管的源極和漏極任意互換。

10.一種射頻收發前端，其特征是：包括功率模式控制器、分別對應于不同的功率模式的p個發射通道射頻功率放大器、如權利要求1至9中任一項所記載的射頻開關；p為≥2的自然數，所述射頻開關為單刀p擲。

11.根據權利要求10所述的射頻收發前端，其特征是，還包括q個接收通道射頻功率放大器；q為自然數；所述射頻開關為單刀p+q擲。

12.一種移動終端，其特征是：包括基帶控制芯片、前端芯片、如權利要求10或11所記載的射頻收發前端、天線。