[發(fā)明專利]多晶硅薄膜的制備方法、薄膜晶體管陣列基板的制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710587277.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107464752A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-12-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董磊磊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3205
• 分類號(hào): H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/77
• 代理公司: 深圳市銘粵知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰,黃進(jìn)

1.一種多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

應(yīng)用半導(dǎo)體沉積工藝制備形成第一非晶硅薄膜；

應(yīng)用準(zhǔn)分子激光退火工藝使所述第一非晶硅薄膜晶化形成多晶硅薄膜；

應(yīng)用半導(dǎo)體沉積工藝在所述多晶硅薄膜的第一表面上制備形成第二非晶硅薄膜；

應(yīng)用干法刻蝕工藝，從所述第二非晶硅薄膜朝向所述多晶硅薄膜的方向，刻蝕直至完全去除所述第二非晶硅薄膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，進(jìn)行干法刻蝕工藝時(shí)，刻蝕至所述第一表面之下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，進(jìn)行干法刻蝕工藝時(shí)，在整個(gè)平面內(nèi)各處的刻蝕速度相等。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述干法刻蝕工藝為等離子體刻蝕工藝。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，在進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火工藝之前，還對(duì)所述第一非晶硅薄膜進(jìn)行加熱去氫處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，加熱去氫處理的溫度為350～450℃。

7.一種薄膜晶體管陣列基板的制備方法，包括制備有源層的步驟，其特征在于，制備有源層的步驟包括：

根據(jù)權(quán)利要求1-6任一所述的多晶硅薄膜的制備方法制備形成一層多晶硅薄膜；

應(yīng)用光刻工藝將所述多晶硅薄膜刻蝕形成圖案化的有源層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制備方法，其特征在于，該方法具體包括步驟：

S1、提供以襯底基板并在所述襯底基板上制備形成圖案化的有源層；

S2、在所述有源層上制備形成柵極絕緣層；

S3、在所述柵極絕緣層上制備形成圖案化的柵電極；

S4、在所述柵電極上制備形成層間介質(zhì)層；

S5、在所述層間介質(zhì)層和所述柵極絕緣層中刻蝕形成暴露出所述有源層的第一過(guò)孔和第二過(guò)孔；

S6、在所述層間介質(zhì)層上制備形成圖案化的源電極和漏電極，所述源電極通過(guò)所述第一過(guò)孔連接到所述有源層，所述漏電極通過(guò)所述第二過(guò)孔連接到所述有源層；

S7、在所述源電極和漏電極上制備形成平坦化層；

S8、在所述平坦化層中刻蝕形成暴露出所述源電極或所述漏電極的第三過(guò)孔；

S9、在所述平坦化層上制備形成圖案化的像素電極，所述像素電極通過(guò)所述第三過(guò)孔連接到所述源電極或所述漏電極。