[發明專利]具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路

在審

• 申請號: 201710586508.8
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107346965A
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發明（設計）人: 劉青;朱洪雨;張煒瑋
• 申請（專利權）人: 深圳市航天新源科技有限公司;深圳航天科技創新研究院
• 主分類號: H03K17/082
• 分類號: H03K17/082;H03K17/284
• 代理公司: 深圳市科吉華烽知識產權事務所(普通合伙)44248
• 代理人: 孫偉

技術領域

本發明涉及開關電路，尤其涉及一種具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路。

背景技術

對于開關功能，電路中常用繼電器作為電源與負載連接路徑連通和關斷的執行器件。繼電器的開關為物理通斷，若負載為接口有不可忽視的電感（或寄生電感）、電容（或寄生電容），在開通和關斷的瞬間會有很高的du/dt或di/dt沖擊，產生較大的電磁干擾，有時時會產生電弧，對合適的繼電器選擇是很大的考驗。且流通電流越大繼電器尺寸越大，當選擇合適電流的繼電器，可能尺寸又過大了。磁保持繼電器的控制信號為繼電器線包提供通路，因此需設計OC指令，數字信號的指令需要外加的OC指令電路才可使繼電器可靠執行指令。

對于過流保護功能，過流保護是當負載出現短路或其他故障，導致負載電流超過正常值切斷電源與負載的連接，隔離故障的措施。一般使用熔斷器作為保護器件，熔斷器的使用需串接在電源與負載之間，當流經電流與時間的熔斷積分I2t達到額定值，熔斷器熔斷，電源與故障負載斷開連接。熔斷器是一次性保護措施，熔斷后只能通過更換新的熔斷器，才可使電路連同。對于無法維修的應用場合如航天產品，熔斷器的使用需要慎重。對于維修造成很大經濟損失的場合，熔斷器方案也顯得成本很高。

因此，如何提供一種開關電路，既無需額外的增加指令的電路，又可防止開通時短時電流浪涌觸發過流保護而造成的無法開通故障，是本領域技術人員亟待解決的技術問題。

發明內容

為了解決現有技術中的問題，本發明提供了一種具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路。

本發明提供了一種具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路，包括MOSFET、電流采樣電路、過流檢測電路、限流延時電路、過流保護關斷電路、MOSFET控制電路、限流電路，其中，所述電流采樣電路的輸出端與所述過流檢測電路連接，所述過流檢測電路的輸出端分別與所述限流電路、限流延時電路連接，所述限流延時電路的輸出端與所述過流保護關斷電路連接，所述過流保護關斷電路的輸出端與所述MOSFET控制電路連接，所述限流電路的輸出端與所述MOSFET控制電路連接，所述MOSFET控制電路與所述MOSFET連接，通過所述限流電路對所述MOSFET控制電路進行限流控制，通過所述過流保護關斷電路路對所述MOSFET控制電路進行過流保護關斷控制。

作為本發明的進一步改進，所述限流延時關斷開關電路還包括指令接口電路，所述指令接口電路的輸出端與所述MOSFET控制電路連接，通過所述指令接口電路對所述MOSFET控制電路進行開關控制。

作為本發明的進一步改進，所述限流延時關斷開關電路還包括輔助供電電路和電源，所述輔助供電電路和電源分別與所述MOSFET連接。

作為本發明的進一步改進，所述MOSFET控制電路與所述MOSFET的柵極連接。

作為本發明的進一步改進，所述電流采樣電路連接有采樣電阻，所述采樣電阻與所述MOSFET的源極連接。

作為本發明的進一步改進，所述MOSFET為N型。

本發明的有益效果是：通過上述方案，一方面，由MOSFET作為開關動作的執行器件，可用于大電流負載的通斷控制，由于MOSFET自身驅動特性，開關的通斷導致的電流電壓變化都是逐漸變化的，且限流功能可使開通過程中的浪涌電流被限制在固定值，減小對負載的電流沖擊，開關的控制由邏輯電平控制，無需額外的增加指令的電路；另一方面，可防止開通時短時電流浪涌觸發過流保護而造成的無法開通故障。

附圖說明

圖1是本發明一種具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路的示意圖。

圖2是發明一種具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路的短時電流上沖使用限流開關前后負載電流波形圖。

圖3是發明一種具備過流記憶功能的可重復觸發的限流延時關斷開關電路的長時電流上沖使用限流開關前后負載電流波形圖。

具體實施方式

下面結合附圖說明及具體實施方式對本發明作進一步說明。