[發明專利]一種混合退火裝置及退火方法在審
| 申請號： | 201710586281.7 | 申請日： | 2017-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN107706127A | 公開（公告）日： | 2018-02-16 |
| 發明（設計）人： | 劉鍵;景玉鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京華沛德權律師事務所11302 | 代理人： | 房德權 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 混合 退火 裝置 方法 | ||
1.一種混合退火裝置，其特征在于，包括：樣品室，樣品臺，微波源，鹵鎢燈光源；
所述樣品臺設置于所述樣品室的室腔內，所述鹵鎢燈光源設置于所述樣品室的室腔內，所述鹵鎢燈光源位于所述樣品臺的上方，所述微波源的天線從所述樣品室的側腔壁接入所述樣品室的室腔內。
2.如權利要求1所述的混合退火裝置，其特征在于，所述樣品室具體為金屬材質的水平對稱結構，所述樣品臺固定于所述樣品室的底腔壁上。
3.如權利要求1所述的混合退火裝置，其特征在于，所述鹵鎢燈光源包括多個相互平行排列的鹵鎢燈，各個所述鹵鎢燈組成平行于所述樣品臺的臺面的面光源。
4.如權利要求1或3所述的混合退火裝置，其特征在于，所述鹵鎢燈光源的功率在0.1～20KW的范圍內可調。
5.如權利要求4所述的混合退火裝置，其特征在于，所述鹵鎢燈光源的照射時長在1～600秒的范圍內可調。
6.如權利要求1所述的混合退火裝置，其特征在于，所述微波源的微波功率在0.1～30KW的范圍內可調。
7.如權利要求1或6所述的混合退火裝置，其特征在于，所述微波源的施加時長在1～1200秒的范圍內可調。
8.一種基于權利要求1-7中任一所述的混合退火裝置進行混合退火的方法，其特征在于，所述方法包括：
開啟所述鹵鎢燈光源，以通過所述鹵鎢燈光源對放置于所述樣品臺上的樣片退火；
在所述鹵鎢燈光源對所述樣片退火至第一恒定溫度時，開啟所述微波源；
通過所述鹵鎢燈光源和所述微波源共同對所述樣片繼續退火，以將所述樣片從所述第一恒定溫度退火至大于所述第一恒定溫度的第二恒定溫度。
9.一種基于權利要求1-7中任一所述的混合退火裝置進行混合退火的方法，其特征在于，所述方法包括:
開啟所述鹵鎢燈光源，以通過所述鹵鎢燈光源對放置于所述樣品臺上的樣片退火；
在所述鹵鎢燈光源對所述樣片退火至第一恒定溫度時，從所述鹵鎢燈光源切換至所述微波源；
通過所述微波源對所述樣片繼續退火，以將所述樣片從所述第一恒定溫度退火至大于所述第一恒定溫度的第二恒定溫度。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
