[發明專利]一種基于NMOS管的柵壓自舉開關電路

有效

• 申請號: 201710586131.6
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107370487B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 徐代果;徐世六;陳光炳;劉濤;劉璐;石寒夫;鄧民明
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二十四研究所
• 主分類號: H03M1/12
• 分類號: H03M1/12
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 趙絲絲

1.一種基于NMOS管的柵壓自舉開關電路，包括NMOS管MN1和自舉電路單元，所述NMOS管MN1的柵極與所述自舉電路單元的輸出端連接，所述NMOS管MN1的源極和所述自舉電路單元的輸入端分別與所述柵壓自舉開關電路的輸入信號VIN所在節點連接，所述NMOS管MN1的漏極與所述柵壓自舉開關電路的輸出信號VOUT所在節點連接；

其特征在于，所述柵壓自舉開關電路還包括：

襯底耦合電容C1，所述襯底耦合電容C1的上極板與所述NMOS管MN1的柵極連接，所述襯底耦合電容C1的下極板與所述NMOS管MN1的襯底連接；

放電開關，一端與所述襯底耦合電容C1的下極板連接，另一端接地；

其中，當輸入信號VIN變化時，如果采樣保持電路處于采樣狀態，所述放電開關斷開；當輸入信號VIN變化時，如果采樣保持電路處于保持狀態，所述放電開關導通。

2.根據權利要求1所述的基于NMOS管的柵壓自舉開關電路，其特征在于：所述放電開關為由NMOS管實現的電子開關。

3.根據權利要求2所述的基于NMOS管的柵壓自舉開關電路，其特征在于：所述由NMOS管實現的電子開關包括NMOS管MN8，所述襯底耦合電容C1的上極板和NMOS管MN1的柵極相連，所述襯底耦合電容C1的下極板和NMOS管MN1的襯底相連，所述襯底耦合電容C1的下極板同時和所述NMOS管MN8的漏極相連，所述NMOS管MN8的柵極接外部控制信號CKN，所述NMOS管MN8的源極接地。

4.根據權利要求1-3任一所述的基于NMOS管的柵壓自舉開關電路，其特征在于：所述自舉電路單元包括：

NMOS管MN2；

NMOS管MN3；

NMOS管MN4；

NMOS管MN5；

NMOS管MN6；

NMOS管MN 7；

PMOS管MP1；

PMOS管MP2；

PMOS管MP3；

電容C_P組成；

NMOS管MN5的源極接地，NMOS管MN5的柵極接外部控制信號CKN，NMOS管MN5的漏極接MN2的源極，并同時接電容C_P的下極板、NMOS管MN3的源極和NMOS管MN4的漏極；

NMOS管MN2和PMOS管MP1構成一個反相器結構，該反相器結構的輸入接外部控制信號CK，該反相器結構的輸出接NMOS管MN3的漏極，該反相器結構的輸出同時接PMOS管MP3的柵極；

PMOS管MP2的源極接電源vdd，PMOS管MP2的漏極接電容C_P的上極板，同時接PMOS管MP3的源極，PMOS管MP2的柵極接PMOS管MP3的漏極，同時接NMOS管MN6的漏極、NMOS管MN3、NMOS管MN4和NMOS管MN1的柵極；

NMOS管MN6的柵極接電源vdd，NMOS管MN6的源極接NMOS管MN7的漏極；NMOS管MN7的柵極接外部控制信號CKN，其源極接地。

5.一種模數轉換器，其特征在于：包括權利要求1-4任一所述的基于NMOS管的柵壓自舉開關電路。