[發明專利]一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法

有效

• 申請號: 201710585624.8
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107516693B
• 公開（公告）日: 2019-11-12
• 發明（設計）人: 胡茂界;夏利鵬;秦崇德;方結彬;何達能;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 北京中濟緯天專利代理有限公司 11429
• 代理人: 孔凡亮

1.一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法，其特征在于，具體包括以下步驟：

1)用RIE刻蝕在電池拋光片表面形成一層損傷層，RIE刻蝕采用干法刻蝕機，由射頻發生器將反應氣體離化，離子與硅片發生作用，所述的反應氣體為SF₆、O₂和Cl₂的混合，其中SF₆的體積分數為20-30％，O₂的體積分數為40-60％，Cl₂的體積分數為10-40％，反應時間為60-200S；

2)用表面腐蝕液對步驟1)處理過的硅片進行表面腐蝕，形成微米凹坑；

3)用HF-HCl混酸藥液除去步驟2)的腐蝕過程中產生的雜質及金屬離子；

4)將步驟3)處理過的硅片經過RIE刻蝕，RIE刻蝕采用干法刻蝕機，由射頻發生器將反應氣體離化，離子與硅片發生作用，所述的反應氣體為SF₆、O₂和Cl₂的混合，其中SF₆的體積分數為20-30％，O₂的體積分數為40-60％，Cl₂的體積分數為10-40％，反應時間為60-200S，制備納米級的絨面；

5)用清洗液除去步驟4)的刻蝕過程中產生的殘留物。

2.如權利要求1所述的一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法，其特征在于，所述的晶硅太陽能電池為多晶硅太陽能電池。

3.如權利要求1所述的一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法，其特征在于，所述步驟2)中的表面腐蝕液由HF、HNO₃和DI水配制而成，腐蝕液中HF的體積分數為10-30％，HNO₃的體積分數為30-60％，DI水的體積分數為10-60％，腐蝕溫度為5-10℃，腐蝕時間為70-150S。

4.如權利要求1所述的一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法，其特征在于，所述步驟3)中的HF-HCl混酸藥液由HF、HCl和DI水配制而成，混酸藥液中HF的體積分數為10-30％，HCl的體積分數為15-40％，DI水的體積分數為30-75％，反應時間為50-120S。

5.如權利要求1所述的一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法，其特征在于，所述步驟5)中的清洗液由BOE、H₂O₂和DI水配制而成，所述BOE成分包括NH₄F、HF，清洗液中BOE的體積分數為5-20％，H₂O₂的體積分數為15-40％，DI水的體積分數為40-75％，清洗溫度為30-50℃，清洗時間為100-200S。

6.如權利要求5所述的一種晶硅太陽能電池拋光片的加工方法，其特征在于，所述BOE中NH₄F與HF的體積比為6:1。