[發明專利]一種防污基板及其制備方法

有效

• 申請號: 201710585282.X
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN107546185B
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 邱基華
• 申請（專利權）人: 潮州三環（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L23/13
• 分類號: H01L23/13;H01L23/14;H01L21/02;H01L21/033
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 宋靜娜;郝傳鑫

1.一種防污基板的制備方法，其特征在于，所述防污基板包括：

基底；所述基底的表面至少具有一個功能區域；所述功能區域至少一部分具有涂層；所述功能區域上具有多個凸臺，所述凸臺的平均高度為10~2000nm，凸臺的平均直徑為20~500nm，凸臺的平均直徑與相鄰凸臺之間的平均間距的比值為0.1~10；所述涂層采用疏水材料制成；

所述防污基板的制備方法包括以下步驟：

（1）、在基底表面鍍金屬膜層或氧化物膜層，得鍍有金屬膜層或氧化物膜層的基底；

（2）、對步驟（1）所得鍍有金屬膜層或氧化物膜層的基底進行熱處理，在基底上形成具有一定間距的納米島結構，得基底模板；

（3）、對步驟（2）所得的基底模板進行刻蝕，然后對刻蝕后的基底模板進行清洗，得具有凸臺的基底；

（4）、對步驟（3）所得的具有凸臺的基底涂覆疏水材料，得所述防污基板。

2.如權利要求1所述的防污基板的制備方法，其特征在于，所述涂層的厚度為2~200nm。

3.如權利要求1所述的防污基板的制備方法，其特征在于，所述涂層的厚度為5~100nm。

4.如權利要求1所述的防污基板的制備方法，其特征在于，所述基底的材料包含二氧化硅、二氧化鋯、碳化硅、氧化釔、氧化鈣、氧化鈰、氮化硅和碳化鋯中的至少一種；所述涂層的材料為氟硅烷、全氟聚醚、全氟烷基磺酸鹽和氟碳樹脂中的至少一種。

5.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述金屬膜層的材料為金、銀、錫、銅和鎳中的至少一種。

6.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，所述金屬膜層的材料為銀。

7.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，所述氧化物膜層的材料為氧化鋁、氧化銅、氧化錫、二氧化硅、二氧化鋯、氧化鐵和氧化鈦中的至少一種。

8.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，在基底表面形成金屬膜層或氧化物膜層采用蒸鍍、多弧離子鍍或磁控濺射的方式。

9.如權利要求8所述防污基板的制備方法，其特征在于，在基底表面形成氧化物膜層采用蒸鍍的方式。

10.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，步驟（1）中，金屬膜層或氧化物膜層的厚度為20~2500nm。

11.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，所述熱處理的溫度為230~2000℃，熱處理的時間為0.1~60min。

12.如權利要求1所述防污基板的制備方法，其特征在于，步驟（3）中，所述刻蝕為等離子刻蝕或反應離子刻蝕；步驟（4）中，涂覆疏水材料采用的方法為CVD、PVD和蒸鍍中的至少一種。