[發(fā)明專利]一種晶化納米結(jié)構(gòu)氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710585131.4
• 申請(qǐng)日: 2017-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN107394023B
• 公開（公告）日: 2019-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳梓敏;王鋼;范冰豐;馬學(xué)進(jìn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中山大學(xué);佛山市中山大學(xué)研究院
• 主分類號(hào): H01L33/42
• 分類號(hào): H01L33/42;H01L21/02
• 代理公司: 廣州圣理華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44302
• 代理人: 李唐明;頓海舟

1.一種晶化納米結(jié)構(gòu)氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜的制備方法，其特征在于，

將GaN-LED外延片用丙酮清洗表面，然后用鹽酸和雙氧水混合液清洗表面，最后用純水沖洗，并用高純度N₂吹干；

隨后在Ar氣氛下放入MOCVD生長(zhǎng)爐子中，并調(diào)整MOCVD生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度達(dá)到500℃，同時(shí)將壓力控制在10torr，然后通入DEZn、O₂和TMAl，其中DEZn的流量為1.0×10^-4摩爾/分鐘，O₂的流量為2.5×10^-2摩爾/分鐘，TMAl的流量為2.18×10^-5摩爾/分鐘，直至表面生長(zhǎng)出厚度為20nm的摻雜Al的ZnO；

之后停止通入DEZn、O₂和TMAl，并將MOCVD生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度調(diào)整至600℃，同時(shí)仍將壓力控制在10torr，并保持10分鐘，以在MOCVD生長(zhǎng)爐中完成第一高溫退火晶化處理；

然后將MOCVD生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度調(diào)整至500℃，同時(shí)仍將壓力控制在10torr，隨后通入DEZn、O₂和TEGa，其中DEZn的流量為9.5×10^-4摩爾/分鐘，O₂的流量為8.4×10^-2摩爾/分鐘，TEGa的流量為4.7×10^-5摩爾/分鐘，直至表面生長(zhǎng)出厚度為60nm的摻雜Ga的ZnO；

停止通入DEZn、O₂和TEGa，并將MOCVD生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度調(diào)整至500℃，同時(shí)仍將壓力控制在10torr，并保持8分鐘，以在MOCVD生長(zhǎng)爐中完成第二高溫退火晶化處理；

隨后將MOCVD生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度調(diào)整至570℃，同時(shí)將壓力控制在8torr，隨后通入DEZn和O₂，其中DEZn的流量為7.5×10^-4摩爾/分鐘，O₂的流量為6.3×10^-2摩爾/分鐘，直至表面生長(zhǎng)出厚度為50nm的ZnO；然后停止通入DEZn和O₂，并將MOCVD生長(zhǎng)爐內(nèi)的溫度調(diào)整至570℃，同時(shí)將壓力控制在10torr，并保持5分鐘，以在MOCVD生長(zhǎng)爐中完成第三高溫退火晶化處理。

2.一種通過權(quán)利要求1所述的制備方法制備的晶化納米結(jié)構(gòu)氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜，其特征在于，所述晶化納米結(jié)構(gòu)氧化鋅透明導(dǎo)電薄膜包括自生長(zhǎng)襯底材料的表面依次生長(zhǎng)形成的氧化鋅種子層、氧化鋅電流擴(kuò)展層和納米結(jié)構(gòu)氧化鋅表面層。