[發明專利]非易失性儲存裝置、非易失性存儲器集成電路及操作方法

在審

• 申請號: 201710584841.5
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN109002367A
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 黃賢緯;張圣如;陳甫埕
• 申請（專利權）人: 力晶科技股份有限公司
• 主分類號: G06F11/07
• 分類號: G06F11/07;G11C29/44
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王珊珊

1.一種非易失性存儲器的操作方法，包括：

當要存取一個多位存儲單元時，對該多位存儲單元進行一單位存儲單元存取操作。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器的操作方法，其中該多位存儲單元包括一多層存儲單元或一三層存儲單元。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器的操作方法，還包括：

當要抹除該多位存儲單元時，對該多位存儲單元進行一單位存儲單元抹除操作，

其中該多位存儲單元為一第一多層存儲單元，而該單位存儲單元抹除操作包括：

查詢一配對表，以獲知與該第一多層存儲單元相成對的一第二多層存儲單元；

抹除該第一多層存儲單元的內容；以及

抹除該第二多層存儲單元的內容。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器的操作方法，還包括：

當要抹除該多位存儲單元時，對該多位存儲單元進行一單位存儲單元抹除操作，

其中該多位存儲單元為一第一多層存儲單元，而該單位存儲單元抹除操作包括：

查詢一類型表，以獲知該第一多層存儲單元的一操作模式；

當該第一多層存儲單元的該被操作模式為一單層存儲單元模式時，查詢一配對表，以獲知與該第一多層存儲單元相成對的一第二多層存儲單元；

當該第一多層存儲單元的該操作模式為該單層存儲單元模式時，抹除該第一多層存儲單元與該第二多層存儲單元的內容；以及

當該第一多層存儲單元的該操作模式不是該單層存儲單元模式亦不是一從存儲單元模式時，抹除該第一多層存儲單元的內容。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器的操作方法，其中該多位存儲單元為一多層存儲單元，而該單位存儲單元存取操作包括：

將一要寫入碼字的一單位值轉換為一對應二位值；以及

將該對應二位值寫入該多層存儲單元。

6.如權利要求5所述的非易失性存儲器的操作方法，其中當該單位值為1時，該對應二位值為11，以及當該單位值為0時，該對應二位值為00。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲器的操作方法，其中該多位存儲單元為一第一多層存儲單元，而該單位存儲單元存取操作包括：

查詢一配對表，以獲知與該第一多層存儲單元相成對的一第二多層存儲單元；

將一要寫入碼字拆分為一第一部份碼字與一第二部份碼字；

將該第一部份碼字的一第一單位值轉換為一第一對應二位值；

將該第一對應二位值寫入該第一多層存儲單元；

將該第二部份碼字的一第二單位值轉換為一第二對應二位值；以及

將該第二對應二位值寫入該第二多層存儲單元。

8.如權利要求1所述的非易失性存儲器的操作方法，該多位存儲單元為一第一多層存儲單元，而該單位存儲單元存取操作包括：

查詢一類型表，以獲知該第一多層存儲單元的一操作模式；

當該第一多層存儲單元的該操作模式為一單層存儲單元模式時，查詢一配對表，以獲知與該第一多層存儲單元相成對的一第二多層存儲單元；以及

當該第一多層存儲單元的該操作模式為該單層存儲單元模式時，將一要寫入碼字拆分為一第一部份碼字與一第二部份碼字，將該第一部份碼字的一第一單位值轉換為一第一對應二位值，將該第一對應二位值寫入該第一多層存儲單元，將該第二部份碼字的一第二單位值轉換為一第二對應二位值，以及將該第二對應二位值寫入該第二多層存儲單元。