[發明專利]顯示基底及其制造方法有效
| 申請號: | 201710584812.9 | 申請日: | 2017-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN107634069B | 公開(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發明(設計)人: | 金香律;楊東周 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉燦強;陳曉博 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 基底 及其 制造 方法 | ||
提供了一種顯示基底及其制造方法。所述顯示基底包括:基體基底,包括顯示區域和圍繞顯示區域的阻光區域;開關元件,設置在基體基底上,并且包括電連接至在第一方向上延伸的柵極線的柵電極、電連接至在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數據線的源電極以及與源電極分隔開的漏電極;濾色器層,設置在開關元件上;第一電極,設置在濾色器層上;絕緣層,設置在第一電極上;第二電極,設置在絕緣層上并包括狹縫;虛設圖案,與第二電極設置在基本同一層上并與數據線疊置;數據阻光圖案,直接設置在虛設圖案上并具有與數據線基本相同的寬度。
技術領域
本發明構思的示例性實施例涉及顯示基底及制造該顯示基底的方法。
背景技術
通常,液晶顯示(LCD)面板包括薄膜晶體管基底、面對薄膜晶體管基底的上基底以及設置在薄膜晶體管基底和上基底之間的液晶層。薄膜晶體管基底包括多條信號線和連接至信號線的多個薄膜晶體管。
通常,LCD面板以扭曲向列(TN)模式驅動,近來已經使用面線切換(plane?to?lineswitching,PLS)模式以提供寬視角。
在PLS模式中,像素電極和與像素電極疊置的共電極形成在薄膜晶體管基底上,由施加到像素電極和共電極的電壓生成電場。通過調整電場的強度,水平排列的液晶旋轉使得可以顯示期望的圖像。
省略與數據線疊置的阻光圖案以提高PLS模式中的透射率。然而,由于缺少阻光圖案,因此由數據線反射的光不能被阻擋。因此,會出現由于反射光的干涉而引起的諸如不均勻顯示的缺陷。
發明內容
本發明構思的示例性實施例提供了減少諸如不均勻顯示的缺陷的顯示基底。
本發明構思的示例性實施例也提供制造顯示基底的方法。
在根據本發明構思的顯示基底的示例性實施例中,顯示基底包括:基體基底,包括顯示區域和圍繞顯示區域的阻光區域;開關元件,設置在基體基底上,并且包括電連接至在第一方向上延伸的柵極線的柵電極、電連接至在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數據線的源電極以及與源電極分隔開的漏電極;濾色器層,設置在開關元件上;第一電極,設置在濾色器層上;絕緣層,設置在第一電極上;第二電極,設置在絕緣層上并包括狹縫;虛設圖案,與第二電極設置在基本相一層上并與數據線疊置;數據阻光圖案,直接設置在虛設圖案上并具有與數據線基本相同的寬度。
在示例性實施例中,虛設圖案可以包括與第二電極基本相同的材料。
在示例性實施例中,虛設圖案的寬度可以比數據線的寬度和數據阻光圖案的寬度短。
在示例性實施例中,虛設圖案的寬度可以比數據線的寬度和數據阻光圖案的寬度長。
在示例性實施例中,顯示基底還可以包括:柵極阻光圖案,與數據阻光圖案一體地形成并與柵極線、柵電極、源電極和漏電極疊置。
在示例性實施例中,在平面圖中,柵電極可以包括完全被漏電極覆蓋的矩形形狀孔。
在示例性實施例中,顯示基底還可以包括:柵極金屬線,設置在阻光區域上并連接至柵極線;數據金屬線,設置在阻光區域上并連接至數據線。
在示例性實施例中,顯示基底還可以包括:數據虛設圖案,與柵極金屬線部分疊置并與與數據線設置在基本同一層上。在平面圖中,數據虛設圖案可以完全覆蓋每條柵極金屬線之間的空間。
在示例性實施例中,顯示基底還可以包括:柵極虛設圖案,與數據金屬線部分疊置并與柵極線設置在基本同一層上。在平面圖中,柵極虛設圖案可以完全覆蓋每條數據金屬線之間的空間。
在示例性實施例中,第二電極可以電連接至漏電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





