[發明專利]具伸張應力鰭狀結構的制作方法與互補式鰭狀晶體管結構

有效

• 申請號: 201710584810.X
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN109273440B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 李凱霖;李志成;陳威任;康庭絢;何仁愉;黃泓文;陳紀孝;楊皓翔;石安石;謝宗翰
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/78
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種具有伸張應力的鰭狀結構的制作方法，包含：

提供一基底包含一N型晶體管區和一P型晶體管區；

形成二條第一溝槽和二條第二溝槽于該基底中，該二條第一溝槽定義出一鰭狀結構，該二條第二溝槽截斷該二條第一溝槽；

進行一流動型化學氣相沉積步驟，以形成氧化硅層填入該二條第一溝槽和該二條第二溝槽；

平坦化該氧化硅層，其中在平坦化該氧化硅層后，該氧化硅層的上表面不低于該鰭狀結構的上表面；

形成一圖案化掩模只位于該N型晶體管區，該圖案化掩模只重疊位于該二條第二溝槽內的該氧化硅層；

以該圖案化掩模為掩模，去除部分的氧化硅層直至位于N型晶體管區內的該第一溝槽中的該氧化硅層的上表面以及位于該P型晶體管區內的該氧化硅層的上表面低于該鰭狀結構的上表面；以及

移除該圖案化掩模。

2.如權利要求1所述的具有伸張應力的鰭狀結構的制作方法，另包含：

在平坦化該氧化硅層之后以及形成該圖案化掩模之前，該氧化硅層的上表面高于該鰭狀結構的上表面；以及

在移除該圖案化掩模后，位于N型晶體管區內的該二條第二溝槽中的該氧化硅層的上表面高于該鰭狀結構的上表面。

3.如權利要求1所述的具有伸張應力的鰭狀結構的制作方法，另包含：

在平坦化該氧化硅層之后以及形成該圖案化掩模之前，該氧化硅層的上表面與該鰭狀結構的上表面切齊；以及

其中在移除該圖案化掩模之后，位于N型晶體管區內的該二條第二溝槽中的該氧化硅層的上表面與該鰭狀結構的上表面切齊。

4.如權利要求1所述的具有伸張應力的鰭狀結構的制作方法，其中該圖案化掩模不形成在該P型晶體管區。

5.如權利要求4所述的具有伸張應力的鰭狀結構的制作方法，其中在P型晶體管區內，位于該二條第二溝槽內的該氧化硅層的上表面和位于該二條第一溝槽內的該氧化硅層的上表面切齊。

6.一種互補式鰭狀晶體管結構，包含：

N型鰭狀晶體管，包含：

第一鰭狀結構；

二個淺溝槽隔離，分別位于該第一鰭狀結構的相對兩側；

二個第一單一擴散隔離結構，分別位于該第一鰭狀結構的兩末端，其中該二個第一單一擴散隔離結構的上表面不低于該第一鰭狀結構的上表面；

第一柵極結構，橫跨該第一鰭狀結構；

第一源極/漏極摻雜區，位于該第一柵極結構兩側的該第一鰭狀結構內；

P型鰭狀晶體管，包含：

第二鰭狀結構；

該二個淺溝槽隔離，分別位于該第二鰭狀結構的相對兩側；

二個第二單一擴散隔離結構，分別位于該第二鰭狀結構的兩末端，其中該二個第二單一擴散隔離結構的上表面低于該第二鰭狀結構的上表面；

第二柵極結構，橫跨該第二鰭狀結構；以及

第二源極/漏極摻雜區，位于該第二柵極結構兩側的該第二鰭狀結構內。

7.如權利要求6所述的互補式鰭狀晶體管結構，其中該二個第一單一擴散隔離結構的上表面高于該第一鰭狀結構的上表面。

8.如權利要求6所述的互補式鰭狀晶體管結構，其中該二個第一單一擴散隔離結構的上表面與該第一鰭狀結構的上表面切齊。

9.如權利要求6所述的互補式鰭狀晶體管結構，其中該二個第一單一擴散隔離結構的上表面高于該二個淺溝槽離的上表面。

10.如權利要求6所述的互補式鰭狀晶體管結構，其中該第一鰭狀結構的上表面和該第二鰭狀結構的上表面切齊。