[發明專利]耐高溫碳化硅歐姆接觸結構制作方法及其結構

有效

• 申請號: 201710583819.9
• 申請日: 2017-07-18
• 公開（公告）號: CN107546113B
• 公開（公告）日: 2020-02-18
• 發明（設計）人: 張藝蒙;張玉明;李彥良;宋慶文;湯曉燕
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L21/04
• 分類號: H01L21/04;H01L29/45
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 劉長春

1.一種耐高溫碳化硅歐姆接觸結構制作方法，其特征在于，包括：

S101、選取SiC襯底；其中，所述SiC襯底為4H-SiC襯底；

S102、在所述SiC襯底表面生長SiC外延層；

S103、利用PECVD工藝在所述SiC外延層表面生長厚度為100nm的SiO₂層；

S104、利用刻蝕工藝刻蝕所述SiO₂層，對所述SiC外延層進行N⁺離子或P⁺離子注入，相應形成摻雜濃度為1.0×10¹⁹cm^-3的N區或摻雜濃度為1.3×10²⁰cm^-3的P區；

S105、利用刻蝕工藝刻蝕剩余的所述SiO₂層，在1700℃溫度下退火30分鐘；

S106、利用磁控濺射工藝在所述SiC外延層表面淀積Ni金屬層；其中，所述Ni金屬層的厚度為淀積功率為100w、淀積速率為9.8nm/min、氣流量為24Ar/sccm、腔內真空度為≤5e^-6mTorr；

S107、利用磁控濺射工藝在所述Ni金屬層表面淀積W金屬層；其中，所述W金屬層的厚度為淀積功率為100w、淀積速率為8.9nm/min、氣流量為16Ar/sccm、腔內真空度為≤5e^-6mTorr；

S108、利用磁控濺射工藝在所述W金屬層表面淀積TaSi₂金屬層；其中，所述TaSi₂金屬層的厚度為淀積功率為60w、淀積速率為2.9nm/min、氣流量為20Ar/sccm、腔內真空度為≤5e^-6mTorr；

S109、利用磁控濺射工藝在所述TaSi₂金屬層表面淀積Pt金屬層；其中，所述Pt金屬層的厚度為淀積功率為100w、淀積速率為2.9nm/min、氣流量為16Ar/sccm、腔內真空度為≤5e^-6mTorr；

S110、將所述Ni金屬層、所述W金屬層、所述TaSi₂金屬層、所述Pt金屬層進行快速退火以完成所述耐高溫碳化硅歐姆接觸結構的制作。

2.一種耐高溫碳化硅歐姆接觸結構，其特征在于，包括：SiC襯底、SiC外延層以及依次設置于所述SiC外延層表面的Ni金屬層、W金屬層、TaSi₂金屬層及Pt金屬層；其中，所述Ni金屬層的厚度為所述W金屬層的厚度為所述TaSi₂金屬層的厚度為所述Pt金屬層的厚度為所述耐高溫碳化硅歐姆接觸結構由權利要求1中所述的方法制作形成。