[發(fā)明專利]一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710583583.9 | 申請日： | 2017-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN108396376A | 公開（公告）日： | 2018-08-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陶亞明;李書森;黃興;郭櫻花;唐前 | 申請（專利權(quán)）人： | 陜西西京電子科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710000 陜西省西安*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶 多晶 制備 混合硅 晶界 位錯(cuò) 光電轉(zhuǎn)換效率 太陽能光伏 工藝混合 有效融合 最大效率 界面能 | ||
1.一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟1，提供坩堝，在其底部采用籽晶鋪底；
步驟2，向坩堝內(nèi)籽晶上方放入原生硅料；
步驟3，對坩堝進(jìn)行加熱，控制坩堝底部溫度，使坩堝內(nèi)部的原生硅料全部熔化，底部鋪底采用的籽晶不熔化；
步驟4，控制坩堝內(nèi)部縱向溫度梯度，使融化的原生硅料從底部開始長晶，并縱向生長；
步驟5，長晶完成后，進(jìn)行退火和冷卻，得到類單晶和高效多晶的混合硅錠。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于：所述步驟1中鋪底的具體方式為：坩堝底部邊緣處采用小籽晶鋪底，底部中間采用大籽晶鋪底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于：所述步驟1中鋪底的具體方式為：坩堝底部邊緣處采用小籽晶鋪底，底部中間采用大籽晶和小籽晶間隔鋪底。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于：所述步驟1中小籽晶和大籽晶鋪設(shè)厚度均為1-3cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于：所述步驟1中小籽晶的直徑大小為1-4mm，大籽晶的直徑大小為4-260mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于：所述步驟3對坩堝進(jìn)行加熱控制坩堝底部鋪設(shè)小籽晶和大籽晶處的溫度低于1420℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于，所述步驟5中退火時(shí)長為1-3小時(shí)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于，所述步驟5退火將溫度降低至1000-1420℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于，所述步驟5中冷卻的時(shí)間為12-15小時(shí)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種類單晶和高效多晶的混合硅錠的制備方法，其特征在于，所述步驟5中冷卻將溫度降低至22-25℃。
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