[發明專利]一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測裝置及檢測方法

在審

• 申請號: 201710582300.9
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN107369740A
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 毛秦軍;楊廣;楊鵬
• 申請（專利權）人: 蘇州天準科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/66
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司32293
• 代理人: 楊淑霞

1.一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測裝置，其特征在于：其包括紅外相機、紅外光源，其還包括底部擋板，所述紅外相機的鏡頭布置于所述底部擋板的正上方，所述紅外光源位于所述紅外相機的一側布置，所述紅外光源斜向布置，所述紅外光源和所述紅外相機的鏡頭中垂線成角為α，所述α的取值范圍為12°～20°，所述鏡頭的鏡頭中垂線和待檢測太陽能硅片的上表面的交點設定為交點A,所述紅外光源的入射光線和待檢測太陽能硅片的上表面的交點B位于交點A的一側布置，其還包括表面擋板，表面擋板垂直于所述待檢測太陽能硅片的上表面布置，所述表面擋板布置于交點A和交點B之間所形成的區域內，所述紅外相機具體為1K大像元、大靶面的紅外線陣相機，所述紅外光源具體為1300nm波長的大功率LED紅外光源。

2.如權利要求1所述的一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測裝置，其特征在于：所述底部擋板具體為V型擋板，所述V型擋板上端口不與待檢測太陽能硅片的背面接觸、不用于支撐，所述V型擋板用于消除表面紅外光源的反射，使得圖像背景均勻。

3.如權利要求1所述的一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測裝置，其特征在于：所述V型擋板具體為兩塊相同的平板拼合形成，兩塊相同的平板的材質為黑色亞克力，兩塊平板分別向兩側水平傾斜45°安裝拼合形成所述V型擋板。

4.如權利要求1所述的一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測裝置，其特征在于：所述紅外光源的發射口高度高于所述表面擋板的高度，所述紅外光源的高度低于所述紅外相機的鏡頭的高度。

5.如權利要求1所述的一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測裝置，其特征在于：所述α的取值為16°。

6.一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測方法，其特征在于：大功率LED的紅外光源斜向布置、傾斜朝向待檢測太陽能硅片的表面打光，且紅外光源不打在紅外相機的鏡頭的正下方，紅外光源的照射位置離開相機中心位置一段距離，并在紅外光源和紅外相機之間放置一塊表面擋板阻隔，所述紅外相機具體為1K大像元、大靶面的紅外線陣相機，所述紅外光源具體為1300nm波長的大功率LED紅外光源。

7.如權利要求6所述的一種用于檢測太陽能硅片隱裂的光學檢測方法，其特征在于：紅外光源和紅外相機之間放置一塊表面擋板阻隔，有效阻擋表面光的正面反射，又使紅外光源在硅片傳輸中遇到隱裂形成陰影被相機拍到；同時在待檢測太陽能硅片的背面增加V型擋板，用于消除表面紅外光源的反射，使隱裂的圖像背景更加均勻。