[發明專利]一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管及其制備方法在審
| 申請號： | 201710582078.2 | 申請日： | 2017-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN107611024A | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發明（設計）人： | 寧洪龍;陳建秋;姚日暉;楊財桂;陶瑞強;周藝聰;吳為敬;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L21/285 | 分類號： | H01L21/285;H01L21/288;H01L29/45;H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司44245 | 代理人： | 羅嘯秋 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 性能 漏電 印刷 薄膜晶體管 及其 制備 方法 | ||
1.一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于包括如下制備步驟：
(1)室溫下用直流磁控濺射在襯底上沉積柵極；
(2)通過陽極氧化將一部分柵極氧化成柵極絕緣層；
(3)室溫下通過物理氣相沉積的方法濺射半導體層，所述半導體層的材料為非晶銦鎵鋅氧；
(4)室溫下以Ag導電墨水用噴墨打印方式打印源漏電極，退火處理后得到所述高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管。
2.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(1)中所述柵極的材料為Al，柵極的厚度為300nm；步驟(2)中所述柵極絕緣層為Al2O3。
3.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述半導體層的厚度為25～80nm。
4.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于步驟(3)中所述物理氣相沉積的方法濺射半導體層的條件為：本底真空度為5×10-5Pa，采用Ar離子轟擊a-IGZO靶材，濺射氣壓為5mTorr，O2/Ar流量比為5％，濺射功率為80W。
5.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述通過物理氣相沉積的方法濺射半導體層后，在400℃退火處理1h。
6.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(3)中所述半導體層的寬長比為540μm/630μm。
7.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于步驟(4)中所述噴墨打印方式打印源漏電極的條件為：基板溫度為50℃，盛墨卡夾溫度為50℃，噴墨電壓為25V，墨滴間距為25μm。
8.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所述源漏電極寬長比為100μm/550μm。
9.根據權利要求1所述的一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管的制備方法，其特征在于：步驟(4)中所述退火處理是指在130℃退火處理8min。
10.一種高性能源漏電極印刷型薄膜晶體管，其特征在于：通過權利要求1～9任一項所述的方法制備得到。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
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H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
