[發明專利]一種具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法在審
| 申請號: | 201710581798.7 | 申請日: | 2017-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN107393822A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發明(設計)人: | 古進;龔昌明;簡青青;吳王進;從書 | 申請(專利權)人: | 中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠) |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L25/00;H01L25/07 |
| 代理公司: | 貴陽派騰陽光知識產權代理事務所(普通合伙)52110 | 代理人: | 谷慶紅 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 瞬態 電壓 抑制 整流 功能 玻璃 鈍化 二極管 制造 方法 | ||
1.一種具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:包括以下步驟,
a)、芯片制作,分別制作瞬態電壓抑制二級管管芯和整流二級管管芯,制作完成后將管芯切割成需要的尺寸,然后對管芯表面進行處理;
b)、芯片焊接,通過高溫燒結將電極和引線燒焊成一個整體的電機引線,然后將電極引線和二極管管芯在600~800℃的高溫下熔焊鍵和;
c)、表面鈍化,將熔焊鍵和后的管芯通過鈍化處理;
d)、封裝成型,在鈍化后的管芯表面上均勻涂覆玻璃粉漿,然后低溫成型2~6h。
2.如權利要求1所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟a)中瞬態電壓抑制二級管管芯的制作方法為,使用N型單晶硅片作為襯底材料,通過雙面深結擴散工藝,形成雙向PN結;所述整流二極管管芯的制作方法為,以N型單晶硅片為材料通過單面深結擴散工藝形成單向PN結。
3.如權利要求1所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟a)中管芯在切割前還通過電子束蒸發或真空鍍膜的方式在其表面制備鋁金屬薄膜,金屬薄膜層的厚度為8μm~20μm。
4.如權利要求1所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟a)中管芯的切割方式為激光切割或吹砂切割。
5.如權利要求1所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟c)中鈍化處理步驟依次為,酸腐蝕1~5次,每次1~5min;堿腐蝕1~3次,每次1~5min;鈍化1~5次,每次0.5~3min。
6.如權利要求7所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述酸腐蝕中酸腐蝕液按質量百分比是分析純的65%~68%的硝酸、≥40%的氫氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按體積比12:9:12:6:6的混合溶液。
7.如權利要求7所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述堿腐蝕中堿腐蝕液為3%~6%的氫氧化鉀溶液,堿腐蝕液溫度為85~98℃。
8.如權利要求7所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述鈍化中鈍化液按質量百分比是≥30%的雙氧水、≥85%的磷酸和離子水按2:2:5混合的混合液。
9.如權利要求1所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述步驟d)中玻璃粉的主要含量為二氧化硅、氧化鋅、三氧化二硼。
10.如權利要求1所述的具有瞬態電壓抑制和整流功能的玻璃鈍化續流二極管的制造方法,其特征在于:所述低溫成型通過低溫成型爐完成;低溫成型爐的升溫速率10~15℃/min,升溫時間45~65min,燒結溫度600~680℃,恒溫時間5~40min,降溫速率≤5℃/min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠),未經中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠)許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710581798.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法
- 下一篇:半導體結構及其形成方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





