[發(fā)明專利]一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710581797.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107393821A | 公開(公告)日: | 2017-11-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古進(jìn);楊波;蔡美晨;龔昌明;張翼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國振華集團(tuán)永光電子有限公司(國營第八七三廠) |
| 主分類號(hào): | H01L21/329 | 分類號(hào): | H01L21/329;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/56 |
| 代理公司: | 貴陽派騰陽光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)52110 | 代理人: | 谷慶紅 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 可靠 玻璃 鈍化 微型 二極管 制造 方法 | ||
1.一種高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,包括管芯的制備、電極焊接、處理封裝,其具體工藝方法為:
a、管芯制備:
a-1、通過深度擴(kuò)散的在單晶硅片上形成PN結(jié),通過電子束蒸發(fā)在PN結(jié)的P面和N面制備金屬薄膜層;
a-2、通過吹砂切割將鍍有金屬薄膜層的單晶硅片吹砂成型;
a-3、采用清洗劑對(duì)切割好的管芯進(jìn)行腐蝕清洗,腐蝕完成后的管芯用丙酮進(jìn)行超聲波清洗,再用酒精進(jìn)行超聲波清洗,然后脫水、烘干;
b、電極焊接:通過高溫真空燒結(jié)將電極與金屬引線燒焊成一個(gè)整體的電極引線,再電極引線、管芯、電極引線依次豎直疊放到石墨模具中,再將石墨模具放入真空燒結(jié)爐中將電極引線和管芯進(jìn)行600℃~800℃的高溫熔焊鍵合。
c、處理封裝:
c-1、使用酸腐蝕液對(duì)燒焊后的二極管進(jìn)行酸腐蝕30~120s;
c-2、將酸腐蝕后的二極管放入堿腐蝕液中腐蝕清洗60~180s;
c-3、使用冷、熱去離子水交替沖洗10次;
c-4、使用玻璃粉漿在二極管表面均勻涂覆形成均勻的球體,然后低溫成型2~3h;
c-5、在引線上裝上焊料和電極片后使用300~400℃溫度燒結(jié);
c-6、多余引線切除。
2.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:金屬薄膜層的材料為鋁。
3.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述酸腐蝕液按質(zhì)量百分比是分析純的65%~68%的硝酸、≥40%的氫氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按體積比1.2:1:1:2:2的混合溶液。
4.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述堿腐蝕液為3%~6%的氫氧化鉀溶液,其堿腐蝕溫度為58~98℃。
5.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述鈍化液按質(zhì)量百分比是≥30%的雙氧水、≥85%的磷酸和離子水按2:2:5混合的混合液。
6.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述玻璃粉的主要含量為二氧化硅、氧化鋅、三氧化二硼。
7.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述低溫成型的升溫速率10~15℃/min,升溫時(shí)間45~65min,燒結(jié)溫度600~680℃,恒溫時(shí)間5~40min,降溫速率≤5℃/min。
8.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述清洗劑按質(zhì)量百分比是65%~68%的硝酸、≥40%的氫氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸按體積比8:2:2:5的混合溶液。
9.如權(quán)利要求1所述的高可靠玻璃鈍化微型表貼二極管的制造方法,其特征在于:所述焊料為鋁。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





