[發(fā)明專利]介電摻雜且富含銻的GST相變存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710580652.0
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN108807453B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭懷瑜;龍翔瀾
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種相變材料，包含GexSbyTez，其中x、y、z為原子百分比，該相變材料的一Ge原子濃度x為13％至18％，該相變材料的一Sb原子濃度x為18％至32％，該相變材料的一Te原子濃度z為34％至50％，且該相變材料還包含介電添加物，其中該介電添加物的一Si原子濃度為11.3％至17％，該介電添加物的一O原子濃度為0％。

2.一種相變存儲器裝置，包含：

含多個存儲單元的一陣列，該陣列的所述存儲單元各別包含一第一電極、一第二電極及具有相變存儲材料的一基底，該基底位在該第一電極及該第二電極之間，其中具有相變存儲材料的該基底包含Ge、Sb及Te的一組合與一介電添加物，其在總量上足以提供大于160℃的一晶型轉(zhuǎn)變溫度；以及

一控制器，耦接至該陣列，該控制器被設(shè)置以對該陣列的所述存儲單元執(zhí)行多個設(shè)定操作及多個復(fù)位操作；

其中該介電添加物的一Si原子濃度為11.3％至17％，該介電添加物的一O原子濃度為0％。

3.如權(quán)利要求2所述的相變存儲器裝置，其中所述復(fù)位操作包含等于或低于200微安培(μAmp)的一復(fù)位電流。

4.如權(quán)利要求2所述的相變存儲器裝置，其中該陣列具有等于或高于107次周期的一耐受度。

5.一種儲存級數(shù)據(jù)儲存的裝置，包含：

含多個存儲單元的一陣列，該陣列的所述存儲單元分別包含一第一電極、一第二電極及具相變存儲材料的一基底，該基底位在該第一電極及該第二電極之間，其中具有相變存儲材料的該基底包含Ge、Sb及Te的一組合與一介電添加物，其在總量上足以提供大于160℃的一晶型轉(zhuǎn)變溫度；以及

一控制器，耦接至該陣列，該控制器被設(shè)置以對該陣列中的存儲單元執(zhí)行多個設(shè)定操作及多個復(fù)位操作，其中所述設(shè)定操作包含等于或低于500納秒(ns)的一設(shè)定速度，且所述復(fù)位操作包含等于或低于200毫安的一復(fù)位電流；

Ge、Sb及Te的該組合包含GexSbyTez，其中x、y、z為原子百分比，一Ge原子濃度x為13％至18％，一Sb原子濃度x為18％至32％，一Te原子濃度z為34％至50％；

該介電添加物的一Si原子濃度為11.3％至17％，該介電添加物的一O原子濃度為0％。

6.如權(quán)利要求5所述的儲存級數(shù)據(jù)儲存的裝置，其中該陣列具有等于或高于107次周期的耐受度。