[發明專利]介電摻雜且富含銻的GST相變存儲器

有效

• 申請號: 201710580652.0
• 申請日: 2017-07-17
• 公開（公告）號: CN108807453B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 鄭懷瑜;龍翔瀾
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種相變材料，包含GexSbyTez，其中x、y、z為原子百分比，該相變材料的一Ge原子濃度x為13％至18％，該相變材料的一Sb原子濃度x為18％至32％，該相變材料的一Te原子濃度z為34％至50％，且該相變材料還包含介電添加物，其中該介電添加物的一Si原子濃度為11.3％至17％，該介電添加物的一O原子濃度為0％。

2.一種相變存儲器裝置，包含：

含多個存儲單元的一陣列，該陣列的所述存儲單元各別包含一第一電極、一第二電極及具有相變存儲材料的一基底，該基底位在該第一電極及該第二電極之間，其中具有相變存儲材料的該基底包含Ge、Sb及Te的一組合與一介電添加物，其在總量上足以提供大于160℃的一晶型轉變溫度；以及

一控制器，耦接至該陣列，該控制器被設置以對該陣列的所述存儲單元執行多個設定操作及多個復位操作；

其中該介電添加物的一Si原子濃度為11.3％至17％，該介電添加物的一O原子濃度為0％。

3.如權利要求2所述的相變存儲器裝置，其中所述復位操作包含等于或低于200微安培(μAmp)的一復位電流。

4.如權利要求2所述的相變存儲器裝置，其中該陣列具有等于或高于107次周期的一耐受度。

5.一種儲存級數據儲存的裝置，包含：

含多個存儲單元的一陣列，該陣列的所述存儲單元分別包含一第一電極、一第二電極及具相變存儲材料的一基底，該基底位在該第一電極及該第二電極之間，其中具有相變存儲材料的該基底包含Ge、Sb及Te的一組合與一介電添加物，其在總量上足以提供大于160℃的一晶型轉變溫度；以及

一控制器，耦接至該陣列，該控制器被設置以對該陣列中的存儲單元執行多個設定操作及多個復位操作，其中所述設定操作包含等于或低于500納秒(ns)的一設定速度，且所述復位操作包含等于或低于200毫安的一復位電流；

Ge、Sb及Te的該組合包含GexSbyTez，其中x、y、z為原子百分比，一Ge原子濃度x為13％至18％，一Sb原子濃度x為18％至32％，一Te原子濃度z為34％至50％；

該介電添加物的一Si原子濃度為11.3％至17％，該介電添加物的一O原子濃度為0％。

6.如權利要求5所述的儲存級數據儲存的裝置，其中該陣列具有等于或高于107次周期的耐受度。