[發明專利]一種基于3D打印的AlGaInP反極性發光二極管制備方法在審
| 申請號： | 201710577460.4 | 申請日： | 2017-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN107394015A | 公開（公告）日： | 2017-11-24 |
| 發明（設計）人： | 許并社;賈志剛;馬淑芳;梁建;董海亮 | 申請（專利權）人： | 太原理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/30 |
| 代理公司： | 太原科衛專利事務所(普通合伙)14100 | 代理人： | 朱源 |
| 地址： | 030024 *** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 打印 algainp 極性 發光二極管 制備 方法 | ||
1.一種基于3D打印的AlGaInP反極性發光二極管制備方法，其特征在于包括以下步驟：
S1：在GaAs襯底上生長反極性LED外延片結構；
S2：利用3D打印技術在p-GaP窗口層表面制備介質膜層，并留出導電孔；
S3：利用3D打印技術在介質膜層上制備金屬反射鏡，介質膜層與金屬反射鏡構成ODR反射鏡；
S4：利用3D打印技術分別在ODR反射鏡表面及Si基底上制備金屬鍵合層；
S5：將上述金屬鍵合層相對并進行金屬鍵合，使外延片與Si基底鍵合在一起；
S6：利用機械研磨及選擇性濕法刻蝕去除GaAs襯底及n-GaAs緩沖層，露出n-AlInP腐蝕停止層；
S7：利用選擇性濕法刻蝕去除n-AlInP腐蝕停止層，露出n-GaAs接觸層；
S8：利用3D打印技術在n-GaAs接觸層表面制備n面接觸電極；
S9：選擇性刻蝕n-GaAs接觸層，留下n面接觸電極，n面接觸電極之外的區域刻蝕到n-AlGaInP限制層；
S10：在n-AlGaInP限制層上3D打印ITO電流擴展層，同時形成粗化的ITO表面；
S11：在ITO表面3D打印N面主電極；
S12：干法刻蝕形成劃片所需溝道，溝道深度直到p-GaP窗口層；
S13：將Si襯底研磨減薄至100um，拋光形成光滑的背面；
S14：在Si襯底背面3D打印P面電極，留出劃片所需溝道；
S15：劃片、裂片，完成芯片制備，所制備的芯片結構由上而下包括n面主電極、ITO電流擴展層、n面接觸電極、n-GaAs接觸層、n-AlGaInP限制層、量子阱有源層、p-AlGaInP限制層、p-GaP窗口層、介質膜層、金屬反射鏡、金屬鍵合層、Si襯底、p面電極。
2.如權利要求1所述的一種基于3D打印的AlGaInP反極性發光二極管制備方法，其特征在于3D打印過程分為三個步驟，3D建模、3D打印、樣品修正。
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