[發(fā)明專利]EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

在審

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• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107248509A
• 公開（公告）日: 2017-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯長電半導(dǎo)體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/31
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 羅泳文

1.一種EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)包括：

重新布線層，包括先對的第一面及第二面；

金屬凸塊，形成于所述重新布線層的第一面；

半導(dǎo)體芯片，電性連接于所述重新布線層的第二面；

電磁屏蔽框，形成于所述重新布線層的第二面，并環(huán)繞于所述半導(dǎo)體芯片；

封裝材料，覆蓋于所述半導(dǎo)體芯片及所述電磁屏蔽框，且所述封裝材料表面露出所述電磁屏蔽框；

電磁屏蔽層，形成于所述封裝材料表面，并與所述電磁屏蔽框相連組成所述半導(dǎo)體芯片的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述重新布線層包括圖形化的介質(zhì)層以及圖形化的金屬布線層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述介質(zhì)層的材料包括環(huán)氧樹脂、硅膠、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃，含氟玻璃中的一種或兩種以上組合，所述金屬布線層的材料包括銅、鋁、鎳、金、銀、鈦中的一種或兩種以上組合。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬凸塊包括銅柱、位于所述銅柱上表面的鎳層、以及位于所述鎳層上的焊料凸點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬阻擋層包括鎳層，所述焊料凸點(diǎn)的材料包括鉛、錫及銀中的一種或包含上述任意一種焊料金屬的合金。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電磁屏蔽框包括框體結(jié)構(gòu)及位于所述框體結(jié)構(gòu)底部的底部結(jié)構(gòu)，所述底部結(jié)構(gòu)的寬度大于所述框體結(jié)構(gòu)的寬度，所述底部結(jié)構(gòu)與所述重新布線層接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述電磁屏蔽框的形狀為圓形、橢圓形、多邊形及圓角多邊形中的一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的EMI防護(hù)的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。

9.一種EMI防護(hù)的芯片封裝方法，其特征在于，包括步驟：

1)提供一粘合層；

2)提供電磁屏蔽框及半導(dǎo)體芯片，將所述半導(dǎo)體芯片及電磁屏蔽框粘合于所述粘合層上，所述半導(dǎo)體芯片正面朝下并位于所述電磁屏蔽框內(nèi)；

3)采用封裝材料封裝所述半導(dǎo)體芯片及所述電磁屏蔽框；

4)去除所述粘合層以露出所述半導(dǎo)體芯片，對所述封裝材料進(jìn)行平坦化處理直至露出所述電磁屏蔽框；

5)于露出有所述半導(dǎo)體芯片的第一平面制作重新布線層，并于所述重新布線層上制作金屬凸塊，以電性引出所述半導(dǎo)體芯片；

6)于露出有所述電磁屏蔽框的第二平面形成電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層與所述電磁屏蔽框相連組成所述半導(dǎo)體芯片的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的EMI防護(hù)的芯片封裝方法，其特征在于：步驟1)還包括步驟：提供一固定環(huán)，將所述粘合層固定于所述固定環(huán)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的EMI防護(hù)的芯片封裝方法，其特征在于：所述固定環(huán)的材料包括玻璃、金屬、半導(dǎo)體、聚合物及陶瓷中的一種，所述粘合層包括粘性膠帶及粘性聚合物層中的一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的EMI防護(hù)的芯片封裝方法，其特征在于：步驟2)中，所述電磁屏蔽框包括框體結(jié)構(gòu)及位于所述框體結(jié)構(gòu)底部的底部結(jié)構(gòu)，所述底部結(jié)構(gòu)的寬度大于所述框體結(jié)構(gòu)的寬度，所述底部結(jié)構(gòu)粘合于所述粘合層以提高所述電磁屏蔽框與所述粘合層的結(jié)合強(qiáng)度。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的EMI防護(hù)的芯片封裝方法，其特征在于：步驟3)中，采用封裝材料封裝所述半導(dǎo)體芯片及所述電磁屏蔽框的方法包括壓縮成型、傳遞模塑成型、液封成型、真空層壓及旋涂中的一種，所述封裝材料包括聚酰亞胺、硅膠以及環(huán)氧樹脂中的一種。