[發明專利]加強等離子體處理系統中的等離子體增強蝕刻

在審

• 申請號: 201710574814.X
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN107424900A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發明（設計）人: 埃里克·赫德森;安德魯·D·貝利三世;拉金德爾·迪恩賽
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/311
• 代理公司: 上海勝康律師事務所31263
• 代理人: 李獻忠,張華

1.一種用于蝕刻等離子體處理室中的襯底的方法，該等離子體處理室具有初級等離子體產生區域和通過半阻擋結構與所述初級等離子體產生區域分開的次級等離子體產生區域，該方法包括：

從提供到所述初級等離子體產生區域的初級原料氣體產生初級等離子體；

從提供到所述次級等離子體產生區域的次級原料氣體產生次級等離子體，使得中性物質從所述次級等離子體產生區域通過所述半阻擋結構遷移至所述初級等離子體產生區域；

從提供到所述次級等離子體產生區域的第二次級原料氣體產生第三等離子體，使得第二物質從所述次級等離子體產生區域通過所述半阻擋結構遷移至所述初級等離子體產生區域；以及

將所述襯底暴露于所述初級等離子體產生區域中的物質以蝕刻所述襯底，

其中所述初級原料氣體從所述等離子體處理室的外部提供到所述初級等離子體產生區域。

2.一種用于蝕刻等離子體處理室中的襯底的方法，該等離子體處理室具有初級等離子體產生區域和通過半阻擋結構與所述初級等離子體產生區域分開的次級等離子體產生區域，該方法包括：

從所述次級等離子體產生區域的外部提供初級原料氣體進入所述初級等離子體產生區域；

提供次級原料氣體進入所述次級等離子體產生區域，所述次級原料氣體與所述初級原料氣體是不同的；

從所述初級原料氣體產生初級等離子體，；

從所述次級原料氣體產生次級等離子體；以及

將所述襯底暴露于所述初級等離子體產生區域中的物質以蝕刻所述襯底，

其中所述半阻擋結構配置為允許中性反應物質從所述次級等離子體產生區域通過所述半阻擋結構遷移到所述初級等離子體產生區域。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述蝕刻表示電介質蝕刻。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述蝕刻表示脫氟。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述次級等離子體產生區域的壓強大于所述初級等離子體產生區域的壓強。

6.根據權利要求1或2所述的方法，進一步包括設置用于所述次級等離子體產生區域的輸入參數以加強所述第一次級原料氣體和所述第二次級原料氣體中至少一種的離解。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述第一次級原料氣體和所述第二次級原料氣體中至少一種是非聚合物形成氣體。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其進一步包括設置用于所述次級等離子體產生區域的輸入參數以加強所述次級原料氣體的離解，其中，所述次級原料氣體至少包含H₂。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述初級原料氣體包括CF₄、C_xF_y和CH_xF_y中的至少一種，其中x和y是整數值。

10.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括設置用于所述次級等離子體產生區域的輸入參數以加強所述次級原料氣體的離解，其中，所述次級原料氣體至少包含O₂、N₂和NF₃中的至少一種。