[發明專利]等離子體蝕刻方法、等離子體蝕刻裝置和基板載置臺

有效

• 申請號: 201710574737.8
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107622945B
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 佐佐木芳彥;南雅人;藤永元毅;神戶喬史;山涌純;宇賀神肇
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3213
• 分類號: H01L21/3213;H01L21/683;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體蝕刻方法，其利用等離子體蝕刻裝置對形成于基板上的規定的膜進行等離子體蝕刻，所述等離子體蝕刻方法的特征在于，包括：

選定處理氣體以使得在所述等離子體蝕刻裝置中的等離子體蝕刻處理中，生成的反應生成物成為能夠干清潔的物質的步驟；

在所述等離子體蝕刻裝置中利用預先選定的處理氣體對所述規定的膜進行等離子體蝕刻處理的步驟；

在進行了所述等離子體蝕刻裝置中的所述等離子體蝕刻后，將處理后的基板搬送至單獨設置的后處理裝置，利用O₂氣體或O₂氣體和含氟氣體，進行用于抑制腐蝕的后處理的步驟；和

在進行了一次或兩次以上的規定次數的所述進行等離子體時刻處理的步驟和所述后處理的步驟后，利用干清潔氣體的等離子體對所述等離子體蝕刻裝置的腔室內進行干清潔的步驟，

作為所述干清潔時的所述干清潔氣體，使用與所述等離子體蝕刻時所使用的所述處理氣體相同的氣體，

所述規定的膜為Ti/Al/Ti膜，所述處理氣體包含Cl₂氣體，不包含氧氣和含氟氣體，所述反應生成物為AlCl_x。

2.如權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述處理氣體為Cl₂氣體。

3.如權利要求1或2所述的等離子體蝕刻方法，其特征在于：

所述Ti/Al/Ti膜用于形成薄膜晶體管的源極和漏極。

4.一種等離子體蝕刻裝置，其用于對形成于基板上的規定的膜實施等離子體蝕刻處理，所述等離子體蝕刻裝置的特征在于，包括：

用于收納基板的處理容器；

在所述處理容器內載置基板的基板載置臺；

對所述處理容器內供給用于進行等離子體蝕刻的蝕刻氣體和用于進行干清潔的干清潔氣體的氣體供給機構；

對所述處理容器內進行排氣的排氣機構；和

在所述處理容器內生成所述蝕刻氣體和所述干清潔氣體的等離子體的等離子體生成機構，

所述基板載置臺包括：基材；和靜電吸盤，其設置在所述基材上，具有由陶瓷噴鍍膜構成的電介質層和設置在所述電介質層的內部的吸附電極，

所述干清潔氣體為含氯氣體，所述規定的膜為Ti/Al/Ti膜，所述蝕刻氣體包含Cl₂氣體，不包含氧氣和含氟氣體，在所述等離子體蝕刻處理中生成的反應生成物為AlCl_x，

作為所述干清潔時的所述干清潔氣體，使用與所述等離子體蝕刻時所使用的所述蝕刻氣體相同的氣體，

所述靜電吸盤的所述電介質層為噴鍍氧化鋁、氧化釔和硅化合物的混合物而形成的混合噴鍍膜。

5.如權利要求4所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

構成所述靜電吸盤的所述電介質層的混合噴鍍膜中使用氧化硅或氮化硅作為硅化合物。

6.如權利要求4或5所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

所述靜電吸盤的所述吸附電極由鎢或鉬構成。

7.如權利要求4或5所述的等離子體蝕刻裝置，其特征在于：

所述干清潔氣體為Cl₂氣體。