[發明專利]用于產生超級結器件的方法

有效

• 申請號: 201710574489.7
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107623038B
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: F.希爾勒;J.G.拉文;A.毛德;H-J.舒爾策;W.舒施特雷德;M.特賴貝爾;D.圖圖克;A.韋爾克爾;H.韋伯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技奧地利有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/8238
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 申屠偉進;杜荔南

1.一種方法，包括：

形成至少一個半導體布置，其中形成該至少一個半導體布置包括：形成半導體層；

在該半導體層的第一表面中形成多個溝槽；以及

將第一類型和第二類型中的至少一個的摻雜劑原子注入到該半導體層的多個溝槽中的每一個的第一側壁和第二側壁中的至少一個中，

其中該多個半導體布置包括具有底部半導體布置和鄰接底部半導體布置的頂部半導體布置的至少一對半導體布置，

其中形成頂部半導體布置的半導體層包括在底部半導體布置的半導體層的多個溝槽中以及在該多個溝槽之間的臺面區的頂部上形成半導體層，

其中頂部半導體布置的多個溝槽與底部半導體布置的多個溝槽基本上對準。

2.根據權利要求1所述的方法，其中形成該半導體層包括外延生長該半導體層。

3.根據權利要求2所述的方法，

其中外延生長頂部半導體層包括外延生長頂部半導體層直到第一表面基本上平坦為止。

4.根據權利要求1所述的方法，其中注入摻雜劑原子包括：

將第一類型的摻雜劑原子注入到第一側壁中以及將第二類型的摻雜劑原子注入到第二側壁中。

5.根據權利要求1所述的方法，其中注入摻雜劑原子包括將第一類型和第二類型二者的摻雜劑原子注入到第一側壁和第二側壁中的至少一個中。

6.根據權利要求5所述的方法，其中注入第一類型和第二類型二者的摻雜劑原子包括注入包括第一類型和第二類型二者的摻雜劑原子的分子。

7.根據權利要求5所述的方法，進一步包括：

對外延層進行退火以使得第一類型和第二類型的摻雜劑原子在外延層中擴散。

8.根據權利要求7所述的方法，進一步包括：

在外延層中生成填隙。

9.根據權利要求1所述的方法，其中形成多個溝槽包括濕法刻蝕工藝。

10.根據權利要求1所述的方法，其中多個溝槽中的每一個的高寬比在10:1和1:1之間、或在6:1和1:1之間。

11.根據權利要求1所述的方法，其中半導體層的半導體材料是硅，并且其中第一表面處于半導體層的晶格的{110}面。

12.根據權利要求11所述的方法，其中形成多個溝槽包括形成多個溝槽以使得第一側壁和第二側壁二者處于晶格的{111}面。

13.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

對該至少一對半導體布置進行退火以便擴散摻雜劑原子。

14.根據權利要求1所述的方法，其中注入摻雜劑原子包括：

以第一注入劑量將第一類型的摻雜劑原子注入到第一側壁和第二側壁中的至少一個中；以及

以第二注入劑量將第二類型的摻雜劑原子注入到第一側壁和第二側壁中的至少一個中，

其中第一注入劑量和第二注入劑量之間的差的量值小于第一注入劑量和第二注入劑量中的每一個的20%。

15.根據權利要求1所述的方法，其中多個溝槽中的每一個具有在第一橫向方向上的寬度以及在垂直于該第一橫向方向的第二橫向方向上的長度，并且其中長度是寬度的至少10倍、至少100倍、至少1000倍或至少10000倍。

16.根據權利要求1所述的方法，其中將第一類型和第二類型中的至少一個的摻雜劑原子注入到半導體層的多個溝槽中的每一個的第一側壁和第二側壁中的至少一個中包括使用不同注入角的至少兩個注入工藝。