[發(fā)明專利]包括三態(tài)反相器的觸發(fā)器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710574018.6 | 申請日: | 2017-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN107623509B | 公開(公告)日: | 2023-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金夏永;李達(dá)熙;吳炯錫;李根昊;宋泰中;趙成偉 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H03K3/037 | 分類號: | H03K3/037;H03K3/03 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 邵亞麗 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 三態(tài) 反相器 觸發(fā)器 | ||
一種觸發(fā)器包括輸入接口、第一鎖存器、第三反相器和第二鎖存器。第三反相器和第五反相器包括:形成在第一類型的鰭上的被電力供應(yīng)電壓供應(yīng)的第一電力觸點(diǎn)和第二電力觸點(diǎn)之間的第一類型的第一晶體管,以及形成在第二類型的鰭上的被接地電壓供應(yīng)的第一接地觸點(diǎn)和第二接地觸點(diǎn)之間的第二類型的第二晶體管。
相關(guān)申請的交叉引用
依據(jù)35U.S.C.§119主張?jiān)陧n國知識產(chǎn)權(quán)局于2016年7月14日提交的韓國專利申請No.10-2016-0089380和于2017年5月25日提交的韓國專利申請No.10-2017-0064763的優(yōu)先權(quán),本文通過引用將上述專利申請的公開并入本文。
背景技術(shù)
本文描述的與創(chuàng)造性構(gòu)思的示例實(shí)施例一致的裝置涉及半導(dǎo)體電路,并且更特別地涉及包括反相器的觸發(fā)器。
觸發(fā)器是普遍用于各種半導(dǎo)體電路的半導(dǎo)體元件。觸發(fā)器的尺寸可以隨著半導(dǎo)體工藝的微型化而減小。隨著基于鰭式場效應(yīng)晶體管(Fin?Field?Effect?Transistor,Fin-FET)的半導(dǎo)體工藝發(fā)展,半導(dǎo)體電路用鰭式FET結(jié)構(gòu)來制造。相應(yīng)地,也通過利用基于鰭式FET的半導(dǎo)體工藝來制造觸發(fā)器。在通過利用基于鰭式FET的半導(dǎo)體工藝來制造觸發(fā)器的情況下,由于鰭式FET的固有工藝特性而使設(shè)計(jì)受到限制,從而導(dǎo)致觸發(fā)器特性惡化以及產(chǎn)量降低。
發(fā)明內(nèi)容
創(chuàng)造性構(gòu)思的示例實(shí)施例提供一種能夠防止特性惡化和產(chǎn)量減小的基于鰭式FET的觸發(fā)器。另外,創(chuàng)造性構(gòu)思的示例實(shí)施例提供具有提高的布局效率的觸發(fā)器。
根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面,提供一種觸發(fā)器,其可以包括:接收第一信號并與時鐘同步地輸出接收的信號作為第二信號的輸入接口;包括第一反相器和第二反相器并且與所述時鐘同步地存儲從所述輸入接口輸出的所述第二信號的第一鎖存器;與所述時鐘同步地輸出存儲在所述第一鎖存器中的所述第二信號作為第三信號的第三反相器;以及包括第四反相器和第五反相器并且與所述時鐘同步地存儲從所述第三反相器輸出的所述第三信號的第二鎖存器。所述第三反相器和第五反相器可以包括:形成在第一類型的鰭上的被電力供應(yīng)電壓供應(yīng)的第一電力觸點(diǎn)和第二電力觸點(diǎn)之間的第一類型的第一晶體管,以及形成在第二類型的鰭上的被接地電壓供應(yīng)的第一接地觸點(diǎn)和第二接地觸點(diǎn)之間的第二類型的第二晶體管。
根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面,一種觸發(fā)器可以包括:接收第一信號并與時鐘同步地輸出接收的信號作為第二信號的輸入接口;包括第一反相器和第二反相器并且與所述時鐘同步地存儲從所述輸入接口輸出的所述第二信號的第一鎖存器;與所述時鐘同步地輸出存儲在所述第一鎖存器中的所述第二信號作為第三信號的第三反相器;包括第四反相器和第五反相器并且與所述時鐘同步地存儲從所述第三反相器輸出的所述第三信號的第二鎖存器以及使所述第三信號反相并輸出反相的第三信號作為第四信號的第六反相器。所述第三反相器可以包括第一和第二PMOS(P-type?metal-oxide-semiconductor)晶體管和第一和第二NMOS(N-type?metal-oxide-semiconductor)晶體管。所述第五反相器可以包括第三和第四PMOS晶體管以及第三和第四NMOS晶體管。第一到第四PMOS晶體管布置在第一類型的鰭上的提供有電力供應(yīng)電壓的第一電力觸點(diǎn)和第二電力觸點(diǎn)之間,并且第一到第四NMOS晶體管可以布置在第二類型的鰭上的提供有第二接地電壓的第一接地觸點(diǎn)和第二接地觸點(diǎn)之間。
根據(jù)示例實(shí)施例的一個方面,提供一種觸發(fā)器,其可以包括:主鎖存器,包括至少一個反相器并被配置為從輸入接口接收輸入信號;從鎖存器,包括至少一個包括反饋環(huán)晶體管反相器的反相器;以及在所述主鎖存器和所述從鎖存器之間布置的三態(tài)反相器以接收所述主鎖存器的輸出信號并使用所述反饋環(huán)晶體管反相器的輸出信號驅(qū)動所述從鎖存器。所述主鎖存器的反相器、所述反饋環(huán)晶體管反相器以及三態(tài)反相器可以具有相同的晶體管結(jié)構(gòu),并由分別輸入到兩種不同類型的晶體管的柵極的時鐘信號和反相器時鐘信號控制。
附圖說明
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