[發明專利]一種垂直結構AlGaInP基發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201710573839.8
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107240628B
• 公開（公告）日: 2019-05-24
• 發明（設計）人: 李波;楊凱;徐洲;張雙翔;石峰
• 申請（專利權）人: 揚州乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/22;H01L33/00
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務所 32106
• 代理人: 江平

1.一種垂直結構AlGaInP基發光二極管的制造方法，包括以下步驟：

1）在襯底的同一側依次外延生長形成DBR層、N限制層、有源層、P限制層、電流擴展層、粗化層、歐姆接觸層，取得外延片；外延取得的粗化層的厚度為3～10μm；

2）以外延片進行清洗、制干后，在外延片的歐姆接觸層表面生長形 SiO₂材料層；

3）在SiO₂材料層上通過涂膠、光刻、顯影制作出光刻膠圖形；

4）將外延片經過BOE蝕刻，得到供蝕刻的圖形化粗化面區域；

5）對圖形化粗化面區域采用濕法或干法腐蝕的方法，自SiO₂材料層向下腐蝕至粗化層；

6）將處延片置于粗化液中進行腐蝕處理；

7）去除圖形化粗化面區域以外的歐姆接觸層上剩余的SiO₂材料層后，在歐姆接觸層上制作形成正電極；

8）對襯底進行減薄研磨，然后在襯底的背面制作背電極；

9）經裂片，得垂直結構AlGaInP基發光二極管；

其特征在于：

所述步驟5）中，在圖形化粗化面區域內蝕刻出若干溝槽，且各溝槽的最大深度不大于粗化層的厚度；所述溝槽具有n個分層結構，n≥1，且溝槽的分層結構呈現臺階形貌。

2.根據權利要求1所述垂直結構AlGaInP基發光二極管的制造方法，其特征在于：經過步驟5）腐蝕后，在各剩余的SiO₂材料層外周形成環繞分布的溝槽。