[發(fā)明專利]芯片級封裝及相關(guān)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710573644.3
• 申請日: 2017-07-14
• 公開（公告）號: CN107623010B
• 公開（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇炳志;德里克·高淑努爾;拉里·D·金斯曼
• 申請（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體組件工業(yè)公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 章蕾

1.一種半導(dǎo)體封裝，其包括：

裸片，其耦合到透明蓋；

一或多個(gè)內(nèi)壁，其包括耦合到所述裸片的第一材料；

外壁，其包括耦合到所述裸片的第二材料；及

所述透明蓋，其在所述一或多個(gè)內(nèi)壁處且在所述外壁處耦合到所述裸片；

其中所述外壁位于所述裸片及所述透明蓋的邊緣處，且所述一或多個(gè)內(nèi)壁位于所述外壁的周界內(nèi)距所述外壁的所述周界預(yù)定距離處；且

其中所述第一材料的模量低于所述第二材料的模量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述外壁上及所述一或多個(gè)內(nèi)壁上的最大腔壁應(yīng)力小于40MPa。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述半導(dǎo)體封裝能夠通過濕氣敏感度等級MSL 1測試。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一材料是干膜，且所述第二材料是焊料掩模。

5.一種用于形成半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：

提供透明蓋；

在所述透明蓋上圖案化第一材料；

在所述透明蓋上圖案化第二材料；

在所述第一材料處且在所述第二材料處將晶片耦合到所述透明蓋；及

通過單個(gè)化所述晶片及所述透明蓋而從所述晶片及所述透明蓋形成一或多個(gè)半導(dǎo)體封裝；

其中所述第二材料在所述透明蓋及所述晶片的邊緣處形成外壁，且所述第一材料在所述外壁的周界內(nèi)側(cè)距所述外壁的所述周界預(yù)定距離處形成內(nèi)壁；且

其中所述第一材料的模量低于所述第二材料的模量。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述外壁上及所述一或多個(gè)內(nèi)壁上的最大腔壁應(yīng)力小于40MPa。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述半導(dǎo)體封裝能夠通過濕氣敏感度等級MSL1測試。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述第一材料是干膜，且所述第二材料是焊料掩模。

9.一種用于制作半導(dǎo)體封裝的方法，所述方法包括：

提供晶片及透明蓋；

圖案化第一材料以在所述晶片上形成內(nèi)壁；

在所述透明蓋上圖案化第二材料以形成外壁；及

在所述第一材料處且在所述第二材料處將所述透明蓋與所述晶片耦合；

其中所述第一材料的模量低于所述第二材料的模量。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一材料是干膜，且所述第二材料是焊料掩模。